[发明专利]分栅型非易失性存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种分栅型非易失性存储器，其特征在于，包括：

半导体衬底；

位于半导体衬底上的两个分离的结构单元，所述结构单元包括依次位于 半导体衬底上的耦合介质层、浮栅、隔离介质层，第一耦合传导层和支撑介 质层；

位于两个分离的结构单元之间的半导体衬底内的源极；

位于两个分离的耦合介质层、浮栅、隔离介质层以及部分第一耦合传导 层内侧壁的第一侧壁层；

填充两个分离的结构单元之间的间隙，并与第一耦合传导层电接触的第 二耦合传导层；

位于两个分离的结构单元外侧壁和所述结构单元外侧半导体衬底上，呈L 型的隧道介质层；

位于L型的隧道介质层外侧的控制栅极；

位于控制栅极外侧半导体衬底内的漏极。

2.根据权利要求1所述的分栅型非易失性存储器，其特征在于，所述的 第一耦合传导层的厚度为600-1500埃。

3.根据权利要求1所述的分栅型非易失性存储器，其特征在于，所述的 第一耦合传导层的材料为多晶硅。

4.根据权利要求1所述的分栅型非易失性存储器，其特征在于，所述的 第二耦合传导层的材料为多晶硅。

5.根据权利要求1所述的分栅型非易失性存储器，其特征在于，所述的 浮栅以及控制栅极的材料为多晶硅。

6.根据权利要求1所述的分栅型非易失性存储器，其特征在于，所述的 耦合介质层，隔离介质层，第一侧壁层以及隧道介质层的材料为氧化硅。

7.一种分栅型非易失性存储器的制作方法，包括：

提供半导体衬底，在所述的半导体衬底上依次形成耦合介质层，第一传 导层，隔离介质层，第一耦合传导层以及刻蚀阻挡层；

在所述的刻蚀阻挡层上形成开口；

在所述开口的侧壁形成支撑介质层；

以所述刻蚀阻挡层和支撑介质层为掩膜，刻蚀第一耦合传导层，隔离介 质层，第一传导层以及耦合介质层至暴露出半导体衬底，形成两个分离的包 括支撑介质层、第一耦合传导层，隔离介质层，第一传导层和耦合介质层的 结构单元；

以所述刻蚀阻挡层和支撑介质层为掩膜，在半导体衬底内进行第一离子 注入，形成源极；

在两个分离的耦合介质层、第一传导层、隔离介质层以及部分第一耦合 传导层的内侧壁形成第一侧壁层；

在两个分离的结构单元之间的间隙中填充第二耦合传导层，第二耦合传 导层与第一耦合传导层电接触；

在所述的第二耦合传导层以及支撑介质层的表面形成保护层；

去除刻蚀阻挡层；

以所述保护层为掩膜，去除其它位置的第一耦合传导层，隔离介质层， 第一传导层以及耦合介质层，至暴露出半导体衬底，刻蚀后保留的第一传导 层作为半导体器件的浮栅；去除所述保护层；

在两个分离的结构单元外侧壁以及结构单元外侧的半导体衬底上形成呈 L型的隧道介质层；

在所述隧道介质层的外侧形成控制栅极；

在控制栅极外侧的半导体衬底内进行离子注入，形成漏极。

8.根据权利要求7所述的分栅型非易失性存储器的制作方法，其特征在 于，所述的第一耦合传导层的材料为多晶硅。

9.根据权利要求7所述的分栅型非易失性存储器的制作方法，其特征在 于，所述的第一耦合传导层的厚度为600-1500埃。

10.根据权利要求7所述的分栅型非易失性存储器的制作方法，其特征在 于，所述的第二耦合传导层的材料为多晶硅。

11.根据权利要求7所述的分栅型非易失性存储器的制作方法，其特征在 于，所述的浮栅以及控制栅极的材料为多晶硅。

12.根据权利要求7所述的分栅型非易失性存储器的制作方法，其特征在 于，所述的耦合介质层，隔离介质层，第一侧壁层以及隧道介质层的材料为 氧化硅。