[发明专利]具自动增益控制的读出放大器有效
申请号: | 201010022710.6 | 申请日: | 2010-01-12 |
公开(公告)号: | CN101783162A | 公开(公告)日: | 2010-07-21 |
发明(设计)人: | 杨光军 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G11C7/06 | 分类号: | G11C7/06;G11C7/12 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201203 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 自动增益控制 读出 放大器 | ||
1.一种具自动增益控制的读出放大器,用于将存储单元的信息传递到位线 并输出,其包含:
差分放大电路,连接于一基准电压,包括并联的第一差分放大管和第二差分 放大管以及作为该第一差分放大管负载的第一负载、作为该第二差分放大管负 载的第二负载;
动态负载电路,连接于该第一差分放大管与该第二差分放大管之间,用于动 态改变该差分放大电路的等效负载电阻;
控制逻辑电路,用于控制对该存储单元的访问,包括多个串联的MOS管, 其一端连接该存储单元,另一端连接钳位电路,每个MOS管的栅极均连接控制 信号;
钳位电路,用于将位线电压进行钳位,该钳位电路与该差分放大电路及该控 制逻辑电路相连接;
存储单元电流传递电路,与该钳位电路连接,用于将访问该存储单元形成的 电流信号镜像到放大比较电路;
放大比较电路,接收该电流信号并进行放大输出至输出电路;以及
输出电路,至少包括一输出放大缓冲器,用于将该电流信号放大输出。
2.如权利要求1所述的具自动增益控制的读出放大器,其特征在于,该第 一差分放大管与该第二差分放大管为PMOS管,该第一负载与该第二负载为 NMOS管,该第一差分放大管与该第二差分放大管源极接至一恒流源输出端, 该第一差分放大管的栅极连接该基准电压,该第二差分放大管栅极连接至该控 制逻辑电路,该第一负载的漏极和栅极连接在一起,并和该第一差分放大管漏 极以及该第二负载的栅极接在一起,该第二负载的漏极连接于该第二差分放大 管的漏极。
3.如权利要求2所述的具自动增益控制的读出放大器,其特征在于,该动 态负载电路连接于该第一差分放大管漏极以及该第二差分放大管漏极之间。
4.如权利要求3所述的具自动增益控制的读出放大器,其特征在于,该动 态负载电路至少包括一第三PMOS管,该第三PMOS管源极与该第二差分放大 管漏极相接,其漏极与该第一差分放大管漏极相接,该第三PMOS管的栅极与 位线相接。
5.如权利要求4所述的具自动增益控制的读出放大器,其特征在于,该钳 位电路为一第三NMOS管,该第三NMOS管栅极与该第二差分放大管漏极相接, 其源极接于该第二差分放大管栅极,并与该控制逻辑电路连接,漏极与该存储 单元电流传递电路连接。
6.如权利要求5所述的具自动增益控制的读出放大器,其特征在于,该存 储单元电流传递电路至少包括一第四PMOS管,该第四PMOS管源极接电源正 端,漏极与栅极均与该第三NMOS管的漏极相连。
7.如权利要求6所述的具自动增益控制的读出放大器,其特征在于,该放 大比较电路至少包括一第五PMOS管,该第五PMOS管源极接电源正端,栅极 与该第四PMOS管栅极相连接,漏极接输出基准恒流源的输出端,并同时与该 输出电路连接。
8.如权利要求7所述的具自动增益控制的读出放大器,其特征在于,该第 一负载与该第二负载源极接地。
9.如权利要求8所述的具自动增益控制的读出放大器,其特征在于,该控 制逻辑电路包括多个串联的NMOS管。
10.如权利要求9所述的具自动增益控制的读出放大器,其特征在于,未访 问该存储单元时,该第三PMOS管导通;在访问该存储单元时,该第三PMOS 管截止。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司,未经上海宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010022710.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:移动电子装置
- 下一篇:一种家庭型多功能消毒技术与装置