[发明专利]双频段可重构混频器集成电路芯片

权利要求书

1.一种双频段可重构混频器集成电路芯片，其特征在于，采用折叠式双平衡吉尔伯特结构，加入电容电阻可调网络，通过外加数字信号控制混频器在两个工作频段之间的切换。

2.按照权利要求项1所述的双频段可重构混频器集成电路芯片，其特征在于，该可重构混频器集成电路包括以下四个部分：

A部分主要包括N型-MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)晶体管NM₁，NM₂；

B部分主要包括电阻R₅，R₆，电容C₃，C₄，NMOS晶体管NM₃，NM₄；

C部分主要包括电阻R7，R8，P型-MOS晶体管PM3，PM4，PM5，PM6；

D部分包括电感L₁，L₂，电阻R₁，R₂，R₃，R₄，P-型MOS晶体管PM₁，PM₂，NM₅，NM₆，电容C₁，C₂，可变电容VC₁，VC₂，VC₃，VC₄。

3.按照权利要求项2所述的双频段可重构混频器集成电路芯片，其特征在于，A部分包括N-型MOS晶体管NM₁，NM₂；用于构成电路的电流源，为电路工作提供直流工作电流。

4.按照权利要求项2所述的双频段可重构混频器集成电路芯片，其特征在于，，B部分包括电阻R₅，R₆，电容C₃，C₄，N-型MOS管NM₃，NM₄；用于构成混频器的跨导输入级，NM₃和NM₄将小信号的射频输入的差分电压信号转变为差分电流信号。

5.按照权利要求项2所述的双频段可重构混频器集成电路芯片，其特征在于，C部分主要包括电阻R₇，R₈，P型-MOS管PM₃，PM₄，PM₅，PM₆；用于构成混频器电路的开关级，实现频率变换。

6.按照权利要求项2所述的双频段可重构混频器集成电路芯片，其特征在于，D部分包括电阻R₁，R₂，R₃，R₄，P型-MOS管PM₁，PM₂，NM₅，NM₆，电容C₁，C₂，可变电容VC₁，VC₂，VC₃，VC₄；构成混频器的负载级；控制电压Vb1控制MOS管PM₁，PM₂以及NM₅，NM₆，的开启和闭合，选择工作频段；V_b2在调节可变电容两端电压，改变并联电容值，实现工作频段内微调。

7.按照权利要求4所述的双频段可重构混频器集成电路芯片，其特征在于，N-型MOS管NM₃，NM₄工作在饱和区，提供三极管漏电流和栅源电压的平方率关系；射频信号在栅端和源端之间的电容交叉耦合输入可以进行输入匹配，同时倍增等效的输入电压幅值，提升变频增益；电阻R₅，R₆与电容C₃，C₄在此为MOS管提供偏置电压。