[发明专利]一种用于发光薄膜荧光增强的光学玻璃基片及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201010022932.8 申请日: 2010-01-19
公开(公告)号: CN102126834A 公开(公告)日: 2011-07-20
发明(设计)人: 林健;魏恒勇;冯昭彬;李东卫;祝林锋 申请(专利权)人: 同济大学
主分类号: C03C21/00 分类号: C03C21/00;C03C17/00
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 吴林松
地址: 200092 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 发光 薄膜 荧光 增强 光学玻璃 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种用于发光薄膜荧光增强的光学玻璃基片,其特征在于:在光学玻璃基片内部设置有金属银纳米晶荧光增强层,在该光学玻璃基片表面设置有发光薄膜。

2.根据权利要求1所述的光学玻璃基片,其特征在于:所述光学玻璃基片由硅酸盐、硼酸盐、磷酸盐、铋酸盐、碲酸盐等氧化物系统玻璃中的任意一种制成,玻璃组成中含有氧化锂、氧化钠、氧化钾、氧化镁、氧化钙、氧化钡其中之一或一种以上,其中任一组分的质量百分含量小于等于25%,在同时包含一种以上组分的情况下,它们的质量百分含量总量小于等于50%。

3.权利要求1或2所述光学玻璃基片的制备方法,其特征在于:向光学玻璃基片中扩散引入金属银离子或原子并形成金属银纳米晶荧光增强层;在金属银纳米晶荧光增强层一侧设置含荧光物质的有机或无机发光薄膜。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于:向光学玻璃基片中扩散引入金属银离子或原子的方法包括离子交换、离子注入或电场辅助离子扩散。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于:在利用离子交换、离子注入或电场辅助离子扩散等方法向光学玻璃基片中扩散引入金属银离子或原子的相关步骤中,选用直流电场干预技术调控玻璃基片中锂、钠、钾离子或原子分布、或已扩散进入的银离子或原子在玻璃基片中的分布,进而通过热处理的手段在光学玻璃基片内形成金属银纳米晶荧光增强层。

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于:在对光学玻璃基片扩散金属银离子或原子之前,在150-400℃的温度下,首先利用金属电极向光学玻璃基片施加电场强度为200-1000V/mm的直流电场并处理30-300min,引导玻璃中的锂、钠、钾离子向光学玻璃基片阴极侧表面方向富集,进而调控此后扩散进入光学玻璃基片的金属银离子或原子的数量及其深度分布。

7.根据权利要求5或6所述的方法,其特征在于:在已经扩散金属银离子或原子的光学玻璃基片中,以含银扩散层侧表面为阴极,以光学玻璃基片另一表面为阳极,在150-400℃的温度下,利用金属电极向光学玻璃基片施加电场强度为100-700V/mm的直流电场并处理10-240min,引导已扩散进入的金属银离子或原子向玻璃基片阴极侧表面方向富集。

8.根据权利要求3所述的方法,其特征在于:在金属银纳米晶荧光增强层一侧设置含荧光物质的有机或无机发光薄膜的方法包括溶胶-凝胶法、化学气相沉积法、物理沉积法、旋涂法、浸涂法、丝网印刷法。

9.根据权利要求3所述的方法,其特征在于:所述有机或无机发光薄膜中含有稀土镨、钕、钐、铕、铽、钬、铒、铥、镱原子、离子或其发光晶体中的一种或多种,以及、或者含有有机荧光物质或硫化镉、硒化镉、硫硒化镉、碲化镉、氧化锌等半导体纳米晶体中的一种或多种。

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