[发明专利]在硅衬底上复合刺猬状VO2纳米结构的相变材料及制法无效
| 申请号： | 201010023035.9 | 申请日： | 2010-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102126702A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 蒋雯陶;郁可;倪娟;黄雁君;朱自强 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | B82B1/00 | 分类号： | B82B1/00;B82B3/00;B81B7/00;B81C1/00;C01G31/02 |
| 代理公司： | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 | 代理人： | 董红曼 |
| 地址： | 200062 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 复合 刺猬 vo sub 纳米 结构 相变 材料 制法 | ||
1.在硅衬底上复合刺猬状VO2纳米结构的相变材料，其特征在于，包括硅片衬底和生长在所述硅片衬底上的VO2晶体，所述VO2晶体沿垂直于硅衬底方向生长。
2.根据权利要求1所述的在硅衬底上复合刺猬状VO2纳米结构的相变材料，其特征在于，所述VO2晶体为刺猬状结构。
3.根据权利要求1所述的在硅衬底上复合刺猬状VO2纳米结构的相变材料，其特征在于，在硅衬底上复合刺猬状VO2纳米结构的相变材料，其特征在于，由纳米线定向生成。
4.根据权利要求1～3任一项所述的在硅衬底上复合刺猬状VO2纳米结构的相变材料，其特征在于，刺猬状纳米结构的直径为10～15μm。
5.根据权利要求4所述的在硅衬底上复合刺猬状VO2纳米结构的相变材料，其特征在于，所述刺猬状结构指的细刺的直径为50～100nm。
6.制备权利要求1～5任一项所述的在硅衬底上复合刺猬状VO2纳米结构的相变材料的方法，包括以下步骤：
将偏钒酸铵加入草酸水溶液，然后将硅片浸渍于上述的水溶液中，在密闭状态下，反应，冷却，即获得所述的在硅衬底上复合刺猬状的VO2纳米结构的相变材料。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，150～160℃反应24～36小时。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述草酸水溶液的浓度为0.0075～0.0125g/ml为0.0075～0.0125g/ml；偏钒酸铵与草酸的重量比为：偏钒酸铵∶草酸＝1∶0.4～1∶1.3。
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