[发明专利]L形硅锗异质结晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 201010027239.X | 申请日： | 2010-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN102122667A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 陈帆;张海芳;徐炯;周郑良 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形硅锗异质 结晶体 及其 制备 方法 | ||
1.一种L形硅锗异质结晶体管，其特征在于，包括：
相对于器件有源区的非对称分布的埋层；
埋层与器件本征集电极区相交，形成一L形，集电极引出的通道从器件的一侧引出；
另一侧衬底与集电区相接。
2.如权利要求1所述的L形硅锗异质结晶体管，其特征在于，在另一侧隔离区域下注入的P型杂质掺杂远离埋层。
3.如权利要求1所述的L形硅锗异质结晶体管，其特征在于，所述的非对称性分布的埋层是指相对于器件的有源区域。
4.如权利要求1所述的L形硅锗异质结晶体管，其特征在于，所述的非对称性分布中埋层与器件的本征集电极区有互连以实现集电极引出通道；埋层与本征集电区的接触区域范围为0.05微米~1微米。
5.如权利要求1所述的L形硅锗异质结晶体管，其特征在于，所述的埋层为N型杂质掺杂，包括磷或砷或锑，掺杂浓度范围为5E14~1E16atoms/cm2。
6.如权利要求1所述的L形硅锗异质结晶体管，其特征在于，通过场氧工艺或是浅漕隔离工艺形成所述的隔离区。
7.如权利要求1所述的L形硅锗异质结晶体管，其特征在于，所述的P型杂质掺杂，包括硼B或氟化硼BF2；掺杂浓度范围为5E14~1E16atoms/cm2。
8.如权利要求1所述的L形硅锗异质结晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
第一步，形成N+埋层；
第二步，制备集电区；
第三步，制备隔离区；
第四步，P型掺杂；
第五步，形成基区；
第六步，形成发射极及外基区。
9.如权利要求8所述的L形硅锗异质结晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤二中采用外延生长工艺制备集电区。
10.如权利要求8所述的L形硅锗异质结晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤四中采用注入工艺形成P型掺杂。
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