[发明专利]LDMOS及其制造方法

权利要求书

1.一种LDMOS，其特征是，所述LDMOS为：在硅衬底(10)上具有外延层(11)和阱(12)；阱(12)中具有隔离结构(13)和阱(14)；阱(12)中、且仅在源极和漏极之间的隔离结构(13)靠近漏极(182)一侧的侧壁和/或底部处具有离子注入区(20)；所述离子注入区(20)与阱(12)的掺杂类型相反；阱(12)之上为栅氧化层(15)和栅极(16)，栅极(16)的一端在阱(14)之上，另一端在隔离结构(13)之上；阱(14)中具有轻掺杂漏注入区(17)和重掺杂漏注入区(181)，重掺杂漏注入区(181)作为LDMOS器件的源极；阱(12)中也具有一个重掺杂漏注入区(182)，作为LDMOS器件的漏极。

2.根据权利要求1所述的LDMOS，其特征是，所述硅衬底(10)、外延层(11)、阱(14)为p型；阱(12)、轻掺杂漏注入区(17)、重掺杂漏注入区(181)、重掺杂漏注入区(182)为n型。

3.根据权利要求1所述的LDMOS，其特征是，所述硅衬底(10)、外延层(11)、阱(14)为n型；阱(12)、轻掺杂漏注入区(17)、重掺杂漏注入区(181)、重掺杂漏注入区(182)为p型。

4.如权利要求1所述的LDMOS的制造方法，其特征是，包括如下步骤：

第1步，在硅衬底(10)上制造外延层(11)和阱(12)；

第2步，在阱(12)的表面刻蚀沟槽，填充所述沟槽形成隔离结构(13)；

第3步，采用光刻和离子注入工艺，在阱(12)中，且仅在源极和漏极之间的隔离结构(13)靠近漏极一侧的侧壁和/或底部处形成与阱(12)掺杂类型相反的离子注入区(20)；

第4步，在阱(12)中形成阱(14)，在硅片表面制造栅氧化层(15)和多晶硅栅极(16)；

第5步，在阱(14)中形成轻掺杂漏注入区(17)和重掺杂漏注入区(181)，所述重掺杂漏注入区(181)作为LDMOS器件的源极；

在阱(12)中形成重掺杂漏注入区(182)，作为LDMOS器件的漏极。

5.根据权利要求4所述的LDMOS的制造方法，其特征是，所述方法第3步中，离子注入的能量为80～120KeV，剂量为1×10¹³～5×10¹³原子每平方厘米。