[发明专利]硅片机械划伤情况的检测方法无效
申请号: | 201010027285.X | 申请日: | 2010-01-18 |
公开(公告)号: | CN102130030A | 公开(公告)日: | 2011-07-20 |
发明(设计)人: | 吴苑 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N21/88 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 张骥 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 机械 划伤 情况 检测 方法 | ||
1.一种硅片机械划伤情况的检测方法,其特征在于:通过以下步骤检测硅片发生机械划伤的源头机台:
第一步,建立硅片生产线上硅片搬送装置的机械传送装置的特征信息数据库;
第二步,当生产线上检测出某批硅片有机械划伤,采集硅片划痕的特征参数;
第三步,将硅片划痕的特征参数与数据库中机械传送装置的特征信息进行比对,检索出与划痕匹配的设备型号,该种设备即为产生本次划伤的设备型号;
第四步,根据该硅片所在产品批次信息,分析该批硅片的设备作业履历,在该批硅片所有经过的设备中找到产生该硅片划痕的设备类型,从而筛选出产生划痕的具体作业机台和作业时间,该机台即为产生划痕的源头机台。
2.根据权利要求1所述的硅片机械划伤情况的检测方法,其特征在于:所述机械传送装置包括所有可能与硅片的正面异常接触的生产和测定装置的相关部件;所述数据库包括设备型号、作业顺序、缺口对准方式、可能产生划伤的部件名、该部件可能产生的划痕的详细尺寸。
3.根据权利要求1所述的硅片机械划伤情况的检测方法,其特征在于:所述划痕的特征参数包括被划伤硅片的片号、划痕的角度、长度、距离圆心的截距。
4.根据权利要求1所述的硅片机械划伤情况的检测方法,其特征在于:所述检测方法通过良率分析系统自动执行,具体方法如下:
良率分析系统包括机械传送装置的特征信息数据库和设备作业履历;将硅片划痕的特征参数和划伤硅片所在的批次信息输入良率分析系统;良率分析系统运行,输出产生本次划伤的设备型号、产生划痕的具体作业机台和作业时间、特征匹配度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造