[发明专利]改善发射极与基极多晶硅侧墙隔离的方法

权利要求书

1.一种改善发射极与基极多晶硅侧墙隔离的方法；其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、淀积一层氧化硅介质；

步骤二、淀积一层富硅的氧化膜，其折射率大于0.5，并进行氮气退火处理；

步骤三、上述复合介质膜淀积完毕后，回刻并去除残余氧化硅，从而形成多晶硅发射极侧墙。

2.如权利要求1所述的改善发射极与基极多晶硅侧墙隔离的方法；其特征在于，步骤一中采用低压化学气相积淀LP-CVD的方法生长一层氧化硅。

3.如权利要求1所述的改善发射极与基极多晶硅侧墙隔离的方法；其特征在于，步骤一中氧化硅的厚度为100~300埃。

4.如权利要求1所述的改善发射极与基极多晶硅侧墙隔离的方法；其特征在于，步骤二中采用等离子化学气相淀积PE-CVD的方法淀积富硅的氧化硅。

5.如权利要求1所述的改善发射极与基极多晶硅侧墙隔离的方法；其特征在于，步骤二中氧化膜淀积厚度可为200~1000埃。

6.如权利要求1所述的改善发射极与基极多晶硅侧墙隔离的方法；其特征在于，步骤二中氮气退火的温度为900~1000摄氏度。