[发明专利]用于硅衬底湿法刻蚀的直接光刻胶掩膜的光刻工艺方法

权利要求书

1.一种用于硅衬底湿法刻蚀的直接光刻胶掩膜的光刻工艺方法，在包含有一硅衬底，并在该硅衬底上形成有图形的硅片上形成一层氧化层，

其特征在于：

步骤一，通过刻蚀去除所述硅衬底表面的氧化层；

步骤二，对所述硅衬底进行高温烘烤；

步骤三，在所述硅片的表面进行光刻胶涂布，通过曝光，显影形成所需的图形；

步骤四，用光刻胶为掩膜，对所述氧化层进行选择性的保护和湿法刻蚀；

步骤五，去除所述光刻胶。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的“硅衬底”泛指半导体工业中任何能应用于生产，研发的硅片；其尺寸，掺杂，厚薄不限，可以是单晶硅，也可以是多晶硅。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的“高温烘烤”是指在150℃～250℃温度下对所述硅衬底进行烘烤，用于去除硅衬底面的水汽。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的“光刻胶”包括G-line，I-line，KrF，ArF及更短波长的化学光敏物质。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的“湿法刻蚀”是指任何用于氧化膜湿法刻蚀的工艺方法。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的“去除光刻胶”是指通过化学或物理手段剥离粘附于硅片表面的光刻胶。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：在步骤四与步骤五之间还包括进行离子注入或后续的光刻刻蚀工艺步骤。