[发明专利]在超低透光率干法刻蚀工艺中改善图形缺陷的方法无效
| 申请号： | 201010027345.8 | 申请日： | 2010-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN102135727A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 阚欢;吴鹏;刘鹏;崇二敏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透光率 刻蚀 工艺 改善 图形 缺陷 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种在超低透光率干法刻蚀工艺中改善图形缺陷的方法，包括如下步骤：
步骤一、在硅衬底上形成薄膜，在所述薄膜上涂敷光刻胶，通过光刻打开所需的图形；
步骤二，利用光刻胶作为掩膜，通过干法刻蚀去除所述的薄膜，形成所需的图形；其特征在于，还包括：
步骤三，干法刻蚀完成后，利用紫外光或高温对硅衬底上的光刻胶进行烘烤；
步骤四，以光刻胶作为掩膜完成离子注入。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：该薄膜可以是导体膜，也可以是半导体膜。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的“光刻胶”包括G-line，I-line，KrF，ArF及更短波长的化学光敏物质。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的“紫外光烘烤或高温烘烤”温度为150℃～250℃。
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