[发明专利]基于衬底刻蚀后图形对本层光刻图形进行修正的方法

权利要求书

1.一种基于衬底刻蚀后图形对本层光刻图形进行修正的方法，其特征在于：需作图形修正的当前层其衬底为前层刻蚀图形且硅片表面不平坦化；需作图形修正的当前层与前层刻蚀图形存在包含和/或距离设计要求；

包括如下步骤：

在衬底刻蚀工艺流程已被优化和固定的前提下，对满足衬底刻蚀图形设计规则的掩膜板进行曝光并完成刻蚀；

对衬底刻蚀后的特征测试图形进行数据收集，分析，确定当前层光刻实际所需的目标关键尺寸；

对满足当前层设计规则的掩膜板，在保证一定套刻精度的前提下进行曝光并完成刻蚀，对当前层刻蚀后的特征测试图形进行数据收集，分析；利用当前层一些特征测试图形收集，分析的结果，通过规则式光学临近修正标定当前层在不同结构中光刻的目标关键尺寸在满足当前层设计规则的掩膜板上的图形修正量。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的“衬底”包含所有应用于半导体工艺流程的薄膜，可以为单层，也可以为多层。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的“硅片表面不平坦化”指在当前层光刻前硅片表面存在的最大台阶高度大于

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述“包含”是指前层刻蚀后的图形位于当前层光刻图形的包围中；所述“距离”是指前层刻蚀后的图形与当前层光刻图形之间间隔一定距离；所述同时具有“包含”和“距离”是指，前层刻蚀后的图形中一部分位于当前层光刻图形的包围中；另一部分与当前层光刻图形之间间隔一定距离。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述“前层刻蚀图形”是指通过干法或湿法刻蚀所形成的一层或多层刻蚀图形。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述“目标关键尺寸”是指当前层光刻图形在关键尺寸修正前根据前层的特征测试图形结果所预见的光刻关键尺寸。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的“规则式光学临近修正”是指通过在软件设计中根据对特征测试图形测量结果，通过程序和命令增加一些规则，使当前层的光刻能更好的接近目标关键尺寸。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的“特征测试图形”是指与当前层光刻时存在包含和/或距离设计要求的，具备不同尺寸的关键尺寸变化，不同大小的间隔变化，线形度，最小沟槽，缩头在内的一项或多项用于数据分析的测试图形结构；

所述不同尺寸的关键尺寸变化，至少包含最小和最大的关键尺寸要求；所述不同大小的间隔变化至少包含最小和最大的间隔要求。