[发明专利]一种铜铟镓硒硫纳米粉末材料的制备方法无效
申请号: | 201010028148.8 | 申请日: | 2010-01-20 |
公开(公告)号: | CN102126708A | 公开(公告)日: | 2011-07-20 |
发明(设计)人: | 吴孟强;张树人;张其翼;刘文龙 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学;四川大学 |
主分类号: | C01B19/00 | 分类号: | C01B19/00 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 铜铟镓硒硫 纳米 粉末 材料 制备 方法 | ||
1.一种铜铟镓硒硫纳米粉末材料的制备方法,包括以下步骤:
步骤1:选用能够溶于沸点大于等于180℃的烷基醇胺的Cu、In和Ga的化合物为原料,按照Cu∶(In+Ga)=1∶(1~1.5)的摩尔比加入到烷基醇胺中,在惰性气体保护条件下搅拌、加热到110~180℃,使得Cu、In和Ga的化合物完全溶解,得到反应体系A;
步骤2:将单质Se和单质S加入到烷基醇胺中,搅拌下加热到200~280℃回流,使得Se和S的化合物完全溶解,得到反应体系B;所加入的Se和S的摩尔量之和为步骤1中Cu的摩尔量的两倍;
步骤3:将反应体系A和反应体系B混合,得到反应体系C;
步骤4:将反应体系C搅拌下加热到200~280℃回流,维持反应4~10小时后,停止加热搅拌,冷却至室温,取下层黑色粉末进行离心、洗涤和干燥处理,得到铜铟镓硒硫纳米粉末材料,即Cu(InxGa1-x)(SeyS2-y)纳米粉末,其中0≤x≤1,0≤y≤2。
2.根据权利要求1所述的铜铟镓硒硫纳米粉末材料的制备方法,其特征在于,所述沸点大于等于180℃的烷基醇胺是三乙醇胺、二乙醇胺、二甘醇胺、二甲基乙醇胺、N,N-二甲基乙醇胺或二甲基醇胺。
3.根据权利要求1所述的铜铟镓硒硫纳米粉末材料的制备方法,其特征在于,所述Cu、In和Ga的化合物为盐酸盐、硫酸盐、硝酸盐、醋酸盐或乙酰丙酮盐。
4.根据权利要求1所述的铜铟镓硒硫纳米粉末材料的制备方法,其特征在于,步骤4中离心处理时采用的离心速率为8000~10000转/分钟;洗涤处理时采用的洗涤剂是水、乙醇、丙酮、氯仿或正己烷等有机溶剂;干燥处理时采用的干燥温度为20~60℃。
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