[发明专利]低反射光学界面层及其制备方法

权利要求书

1.一种低反射光学界面层，其特征是由沉积在基材上的纳米粒子形成的纳米多孔膜，膜层厚度为50～200nm，膜层中孔洞尺寸在50～200nm，膜层的空隙率为30～75％。

2.根据权利要求1所述的低反射光学界面层，其特征在于所述纳米多孔膜，是由不少于2种纳米粒子在基材上沉积成的纳米粒子复合膜去除牺牲成分所形成。

3.根据权利要求1或2所述的低反射光学界面层，其特征在于膜层厚度为60～160nm，膜层中60％以上的孔洞尺寸在60～140nm，膜层的空隙率为30～66％。

4.根据权利要求3所述的低反射光学界面层，其特征在于沉积在基材上形成复合膜的纳米粒子为不同种类的无机纳米粒子或/和有机纳米粒子。

5.根据权利要求4所述的低反射光学界面层，其特征在于所述无机纳米粒子选自硅、钛、铝、硼和镐的氧化物纳米粒子。

6.根据权利要求4所述的低反射光学界面层，其特征在于所述有机纳米粒子为聚合物纳米粒子。

7.权利要求1至6之一所述低反射光学界面层的制备方法，其特征在于主要包括以下步骤：

(1)将不少于2种的纳米粒子配制成质量浓度为0.3～8.0％的分散液，分散液中作为牺牲成分的纳米粒子与作为成膜成分的纳米粒子质量比为(3∶1)～(1∶3)；

(2)将纳米粒子分散液沉积在基材上形成纳米粒子复合膜；

(3)选择性地去除纳米粒子复合膜中的牺牲成分纳米粒子，即制备得到纳米粒子多孔膜。

8.根据权利要求7所述的低反射光学界面层的制备方法，其特征在于基材为无机材料或有机材料，其中无机材料选自金属和无机氧化物中的一种，有机材料选自透明聚合物。

9.根据权利要求8所述的低反射光学界面层的制备方法，其特征在于当基材和纳米粒子为有机材料时，可将制备的纳米粒子膜在有机材料的玻璃化转变温度正负20℃的范围进行热处理，热处理的时间不大于20min。

10.根据权利要求7所述的低反射光学界面层的制备方法，其特征在于有机聚合物纳米粒子作为牺牲成分时，其玻璃转化温度为50～100℃，有机聚合物纳米粒子作为纳米多孔膜的成膜成分时，其玻璃转化温度不低于70℃，并且其分子链有适度的交联。

11.根据权利要求7所述的低反射光学界面层的制备方法，其特征在于作为牺牲成分的纳米粒子的粒径为40～160nm，作为成膜成分的纳米粒子粒径为30～130nm。

12.根据权利要求11所述的低反射光学界面层的制备方法，其特征在于所述纳米粒子为球形纳米粒子，其中作为成膜成分的纳米粒子粒径为40～90nm。

13.根据权利要求7至12之一所述的低反射光学界面层的制备方法，其特征在于当基材为有机材料时，在将纳米粒子分散液沉积在基材上之前可先在基材上沉积一层过渡膜，过渡膜由聚乙烯基吡咯烷酮、聚乙二醇或表面活性剂的溶液涂布到聚合物基材上形成，溶液的质量浓度0.01～5％。

14.根据权利要求7至12之一所述的低反射光学界面层的制备方法，其特征在于将分散液沉积在基材上形成纳米粒子复合膜的方法为涂敷法、提拉法、液面下降法、静电吸附法或丝网印刷法。

15.根据权利要求7至12之一所述的低反射光学界面层的制备方法，其特征在于当牺牲成分为有机纳米粒子，牺牲成分的纳米粒子采用溶剂法或高温法去除，当牺牲成分为无机纳米粒子，牺牲成分的纳米粒子采用化学腐蚀法去除。