[发明专利]p型和n型氧化亚铜薄膜的水热法可控制备有效
| 申请号： | 201010028921.0 | 申请日： | 2010-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN101774629A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 余颖;熊良斌 | 申请（专利权）人： | 华中师范大学 |
| 主分类号： | C01G3/02 | 分类号： | C01G3/02 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 张安国 |
| 地址： | 430079湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化亚铜 薄膜 水热法 可控 制备 | ||
1.不同导电类型的氧化亚铜半导体薄膜的可控制备方法，其特征是 用水热法制备，其方法是先用铜的前驱物配制1×10-4～1M浓度的二价 铜离子盐溶液，通过稀酸和氨水来调节溶液的pH值，将配置好的二价 铜离子盐溶液和清洗干净的纯金属铜片置入高压釜中，铜片全部浸没在 该溶液中，将高压釜的温度保持在100-200℃反应0.5-20小时，即得到 氧化亚铜薄膜，在pH值3-5之间制备的氧化亚铜薄膜的导电类型为n 型，pH值在7-12之间制备的氧化亚铜薄膜的导电类型为p型。
2.如权利要求1所述的不同导电类型的氧化亚铜半导体薄膜的可控 制备方法，其特征是，所使用的铜的前驱物为水溶性的铜盐和纯金属铜 片，所述的铜盐为硫酸铜、醋酸铜、硝酸铜或氯化铜，所述的纯金属铜 片纯度在99％以上。
3.如权利要求1所述的不同导电类型的氧化亚铜半导体薄膜的可控 制备方法，其特征是所述的二价铜离子盐溶液的浓度为5×10-4～5×10-3M。
4.如权利要求1所述的不同导电类型的氧化亚铜半导体薄膜的可控 制备方法，其特征是所述的二价铜离子盐溶液的浓度为0.001M。
5.如权利要求1所述的不同导电类型的氧化亚铜半导体薄膜的可控 制备方法，其特征是所使用的稀酸为稀硫酸、稀醋酸或稀盐酸，浓度为 0.001～1.5M，所使用的氨水的质量百分比浓度为0.1～5％。
6.如权利要求1所述的不同导电类型的氧化亚铜半导体薄膜的可控 制备方法，其特征是所使用的稀酸为稀硫酸、稀醋酸或稀盐酸，浓度为 0.05～1M，所使用的氨水的质量百分比浓度为1％～3％。
7.如权利要求1所述的不同导电类型的氧化亚铜半导体薄膜的可控 制备方法，其特征是所述的稀酸浓度为0.5M。
8.如权利要求1所述的不同导电类型的氧化亚铜半导体薄膜的可控 制备方法，其特征是所述的氨水的质量百分比浓度为2％。
9.如权利要求1所述的不同导电类型的氧化亚铜半导体薄膜的可控 制备方法，其特征是高压釜的温度保持在120-180℃，反应0.5-20小时。
10.如权利要求1所述的不同导电类型的氧化亚铜半导体薄膜的可 控制备方法，其特征是高压釜的温度保持在160℃，反应时间为8小 时。
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