[发明专利]丁酸氯维地平的晶型

权利要求书

1.一种丁酸氯维地平的晶型，其特征在于：所述晶体的粉末X-射线衍射图谱峰位置在7.5°、8.5°、10.1°、16.3°、20.3°和24.8°±0.2°2θ，差示扫描量热法图谱中吸收峰在140.5℃，以及红外图谱特征峰位置在3332、1732和1707cm^-1。

2.根据权利要求1所述的丁酸氯维地平的晶型，其特征在于：粉末X-射线衍射图谱峰位置在7.5°、8.5°、10.1°、10.8°、14.4°、15.0°、16.3°、18.7°、19.5°、20.3°、21.3°、22.5°、24.8°、25.4°、25.9°、27.8°和30.3°±0.2°2θ。

3.根据权利要求1所述的丁酸氯维地平的晶型，其特征在于：红外图谱特征峰位置在3332、2963、1732、1707、1641和1618cm^-1。

4.根据权利要求1或2所述的丁酸氯维地平的晶型，其特征在于：所述晶体的粉末X-射线衍射图谱如图1所示。

5.根据权利要求1或3所述的丁酸氯维地平的晶型，其特征在于：红外图谱特征峰位置如图2所示。

6.一种丁酸氯维地平的晶型的制备方法，它是向丁酸氯维地平中加入可溶解其固体的溶剂，加热溶解，然后加入活性炭脱色，趁热过滤，将滤液冷却以结晶出丁酸氯维地平晶体，过滤，干燥。

7.一种丁酸氯维地平的晶型的制备方法，它是向丁酸氯维地平中加入可溶解其固体的溶剂，加热溶解，然后加入活性炭脱色，趁热过滤，在滤液中加入反溶剂，混合，以结晶出丁酸氯维地平晶体，过滤，干燥。

8.一种丁酸氯维地平的晶型，其特征在于：所述晶体的粉末X-射线衍射图谱峰位置在7.2°、9.0°、10.3°、24.2°和25.4°±0.2°2θ，差示扫描量热法图谱中吸收峰在146.4℃，以及红外图谱特征峰位置在3322和1712cm^-1。

9.根据权利要求8所述的一种丁酸氯维地平的晶型，其特征在于：粉末X-射线衍射图谱峰位置在7.2°、9.0°、10.3°、12.6°、13.3°、13.8°、14.5°、17.0°、20.2°、21.9°、22.7°、22.9°、24.2°和25.4°±0.2°2θ。

10.根据权利要求8所述的一种丁酸氯维地平的晶型，其特征在于：红外图谱特征峰位置在3322、2965、1712、1642和1611cm^-1。

11.根据权利要求8或9所述的一种丁酸氯维地平的晶型，其特征在于：所述的粉末X-射线衍射图谱如图4所示。

12.根据权利要求8或10所述的一种丁酸氯维地平的晶型，其特征在于：所述的红外图谱如图5所示。

13.一种丁酸氯维地平的晶型的制备方法，它是在N₂氛围下，将丁酸氯维地平加热至145℃熔融，然后于80-100℃缓慢冷却固化析晶，干燥。

14.一种无定形的丁酸氯维地平，其特征在于；所述晶体的粉末差示扫描量热法图谱中吸收峰在145.1℃，红外图谱特征峰位置在3346和1705cm^-1。

15.根据权利要求14所述的无定形的丁酸氯维地平，其特征在于：所述的红外图谱特征峰位置在3346、2966、1760、1705、1649和1619cm^-1。

16.根据权利要求14所述的无定形的丁酸氯维地平，其特征在于：所述晶体的粉末的X-射线衍射图谱如图7所示。

17.根据权利要求14或16所述的无定形的丁酸氯维地平，其特征在于：所述晶体的粉末如图8所示。

18.一种无定形的丁酸氯维地平的制备方法，它是在N₂氛围下，将丁酸氯维地平加热至145℃熔融，然后于60℃以下缓慢冷却固化析晶，干燥。