[发明专利]辐射热测量计及其制作方法

权利要求书

1.一种辐射热测量计，结构中包括：基底(1)、位于基底(1)上方的支撑层(3)、制作在支撑层(3)上的下电极(4)、下电极(4)上制备有热敏电阻(5)、热敏电阻(5)上覆有上电极(7)、上电极(7)上制备有吸收层(8)，其中基底(1)和支撑层(3)平行且有间隙地设置，其特征在于：热敏电阻(5)分为独立单元组并联设置在上电极(7)和下电极(4)之间。

2.根据权利要求1所述的辐射热测量计，其特征在于热敏电阻(5)各独立单元之间间隔均匀。

3.根据权利要求2所述的辐射热测量计，其特征在于热敏电阻(5)各个独立单元的间隔内充填氮化硅材料形成隔离层(6)。

4.根据权利要求1所述的辐射热测量计，其特征在于上述构成热敏电阻(5)的材料为掺杂的非晶硅。

5.根据权利要求3所述的辐射热测量计，其特征在于基底(1)上制备有反射层(2)，该反射层由Al制备而成。

6.根据权利要求1所述的辐射热测量计，其特征在于上电极(7)和下电极(4)由NiCr金属材料制成。

7.根据权利要求1所述的辐射热测量计，其特征在于吸收层(8)为氮化硅或氧化硅或氮氧化硅。

8.一种权利要求5所述的辐射热测量计的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)在基底(1)上电子束蒸发制备反射层(2)；

2)制备牺牲层；

3)淀积低应力氮化硅或氧化硅薄膜制备支撑层(3)；

4)光刻、刻蚀牺牲层形成下电极(4)图形锚点，溅射形成下电极(4)；

5)淀积非晶硅薄膜并掺杂，光刻、刻蚀完成热敏电阻(5)分离单元组的制备；

6)淀积氮化硅隔离层(6)；

7)光刻、刻蚀牺牲层形成上电极(7)图形锚点，溅射形成上电极(7)；

8)淀积、光刻、刻蚀制备吸收层(8)；

9)刻蚀牺牲层，释放辐射热测量计微结构。