[发明专利]具有多种增益模式、能自动调谐的射频接收前端有效

专利信息
申请号: 201010033869.8 申请日: 2010-01-11
公开(公告)号: CN101753159A 公开(公告)日: 2010-06-23
发明(设计)人: 赵博;杨华中 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H04B1/16 分类号: H04B1/16;H03F3/45;H03G1/00;H03D7/16;H03H1/02
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 胡小永
地址: 100084 北京市海*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 具有 多种 增益 模式 自动 调谐 射频 接收 前端
【权利要求书】:

1.一种具有多种增益模式、能自动调谐的射频接收前端,其特 征在于,所述射频接收前端包括:

低噪声放大器,采用电感源极负反馈、共源共栅放大的结构,所 述低噪声放大器的输入端连接输入信号,所述低噪声放大器的输出端 采用数控电阻作为负载来校准增益;

混频器,包括I路混频器和Q路混频器,其差分输入端均连接到 低噪声放大器的输出端,其差分输出端均连接到复数滤波器的差分输 入端;

复数滤波器,采用多级级联结构,各级的增益控制字输入端相连, 各级的电容阵列控制字输入端相连;

时间常数校正电路,其输出端连接复数滤波器的校正控制字输入 端,用于对复数滤波器的电阻-电容时间常数随工艺、温度产生的变 化进行校正。

2.如权利要求1所述具有多种增益模式、能自动调谐的射频接 收前端,其特征在于,所述低噪声放大器包括:

四个PMOS管,其源极均接在电源正电压上,其栅极均连接到 增益控制字输入端,第一PMOS管和第二PMOS管的栅极相连后连 接到第一增益控制字输入端,第三PMOS管和第四PMOS管的栅极 相连后连接到第二增益控制字输入端;

八个NMOS管,第一NMOS管和第二NMOS管作为低噪声放 大器的共源放大管,第一NMOS管的栅极连接所述低噪声放大器的 第一偏置电压输入端,第二NMOS管的栅极连接到所述低噪声放大 器的第二偏置电压输入端;第三NMOS管、第四NMOS管和第五 NMOS管组成输入端增益控制开关,第四NMOS管的漏极连接到第 三NMOS管的漏极,第五NMOS管的漏极连接到第三NMOS管的 源极,第四NMOS管的源极和第五NMOS管的源极均接地,第三 NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管的栅极相连后连接到第三 增益控制字输入端;第六NMOS管在输入共源放大管的漏极作增益 控制用,第六NMOS管的漏极连接到第一NMOS管的漏极,第六 NMOS管的源极连接到第二NMOS管的漏极,第六NMOS管的栅极 连接到第四增益控制字输入端;第七NMOS管和第八NMOS管为共 栅放大管,第七NMOS管的源极连接到第一NMOS管的漏极,第八 NMOS管的源极连接到第二NMOS管的漏极,第七NMOS管的栅极 和第八NMOS管的栅极相连后连接到第三偏置电压端;

四个电感,第一电感连接所述低噪声放大器的同相输入端口和第 四NMOS管的漏极,第二电感连接所述低噪声放大器的反相输入端 口和第五NMOS管的漏极,第三电感连接第一NMOS管的源极和地, 第四电感连接第二NMOS管的源极和地;

两个电容,第一电容连接第四NMOS管的漏极和第一偏置电压, 第二电容连接第五NMOS管的漏极和第二偏置电压;

四个电阻,作为低噪声放大器的输出端负载,用于实现增益校准, 第一电阻连接第一PMOS管的漏极和第七NMOS管的漏极,第二电 阻连接第二PMOS管的漏极和第八NMOS管的漏极,第三电阻连接 第三PMOS管的漏极和第七NMOS管的漏极,第四电阻连接第四 PMOS管的漏极和第八NMOS管的漏极。

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