[发明专利]均匀氢化NaZn13结构的稀土-铁钴硅材料的方法

权利要求书

1.均匀氢化NaZn₁₃结构的稀土-铁钴硅材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：

将具有NaZn₁₃结构的稀土-铁钴硅化合物放入氢化炉中，在温度为400℃～600℃的范围内进行氢化热处理，氢化时间为2h～4h。

2.根据权利要求1所述的均匀氢化NaZn₁₃结构的稀土-铁钴硅材料的方法，其特征在于，所述氢气炉是密闭式氢气退火炉，将具有NaZn₁₃结构的稀土-铁钴硅化合物放入密闭式氢气退火炉中，炉体内的真空度达到6×10^-1Pa以上，加热至400℃～600℃后，通入氢气进行氢化热处理。

3.根据权利要求1所述的均匀氢化NaZn₁₃结构的稀土-铁钴硅材料的方法，其特征在于，所述氢气炉是开放式氢气退火炉，将具有NaZn₁₃结构的稀土-铁钴硅化合物放入开放式氢气退火炉中后，首先通入氩气，将炉内气氛变为氩气气氛后，加热至400℃～600℃后，通入氢气，在氢气退火炉出口处点火燃烧氢气，进行氢化热处理。

4.均匀氢化NaZn₁₃结构的稀土-铁钴硅材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：

将具有NaZn₁₃结构的稀土-铁钴硅化合物放入氢化炉中，进行一次或多次的活化处理后，在温度为80℃～600℃的范围内进行氢化热处理，氢化时间为2h～4h。

5.根据权利要求4所述的均匀氢化NaZn₁₃结构的稀土-铁钴硅材料的方法，其特征在于，所述活化处理是将具有NaZn₁₃结构的稀土-铁钴硅化合物放入密闭式氢气退火炉中，真空度为6×10^-1Pa以上，然后加热至400℃～700℃的温度范围内，保温1h～8h后，降温至室温。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的均匀氢化NaZn₁₃结构的稀土-铁钴硅材料的方法，其特征在于，氢化后得到的稀土-铁钴硅氢化物的晶体结构以NaZn₁₃结构为主相，与原稀土-铁钴硅化合物的晶体结构相同。

7.根据权利要求6所述的均匀氢化NaZn₁₃结构的稀土-铁钴硅材料的方法，其特征在于，氢化热处理在一个大气压条件下进行。