[发明专利]集成热敏电阻的金刚石热沉无效
申请号: | 201010034103.1 | 申请日: | 2010-01-13 |
公开(公告)号: | CN101764107A | 公开(公告)日: | 2010-06-30 |
发明(设计)人: | 张全德;刘峰奇;王利军;张伟;刘万峰;陆全勇;刘俊岐;李路;王占国 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L23/34 | 分类号: | H01L23/34;H01L23/48;H01C7/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成 热敏电阻 金刚石 | ||
1.一种集成热敏电阻的金刚石热沉,包括:
一衬底;
一第一Ti薄膜,该第一Ti薄膜制作在衬底上的一侧,该第一Ti薄膜为一弯折条形结构;
一Au薄膜,该Au薄膜制作在第一Ti薄膜上,形状与第一Ti薄膜相同,该Au薄膜分为第一热敏电阻引线区、第二热敏电阻引线区和热敏电阻区;
一第二Ti薄膜,该第二Ti薄膜制作在衬底上的另一侧;
一器件烧结区,该器件烧结区制作在第二Ti薄膜上。
2.根据权利要求1所述的集成热敏电阻的金刚石热沉,其中衬底为双面抛光的高热导率金刚石衬底。
3.根据权利要求1所述的集成热敏电阻的金刚石热沉,其中热敏电阻区的阻值为100-200Ω,电阻温度系数为3.5×10-3/℃,其能在0℃-50℃范围内使用,最大非线性度仅0.20-0.24%。
4.根据权利要求1所述的集成热敏电阻的金刚石热沉,其中热敏电阻区上的第一Ti薄膜和Au薄膜的线条宽度为10-15um。
5.根据权利要求1或4所述的集成热敏电阻的金刚石热沉,其中第一Ti薄膜和第二Ti薄膜的厚度为30-50nm。
6.根据权利要求1所述的集成热敏电阻的金刚石热沉,其中Au薄膜的厚度为400-500nm。
7.根据权利要求1所述的集成热敏电阻的金刚石热沉,其中器件烧结区与热敏电阻区的间隔宽度为100-200um。
8.根据权利要求1所述的集成热敏电阻的金刚石热沉,其中该器件烧结区的材料为Au薄膜,厚度为400-500nm。
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