[发明专利]一种铝熔体提纯金属硅的方法有效
| 申请号： | 201010040053.8 | 申请日： | 2010-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN101759188A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 杨德仁;顾鑫;余学功 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 铝熔体 提纯 金属硅 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种铝熔体提纯金属硅方法，其特征在于：包括如下步骤：
1)将粒径大小为0.05mm的金属硅去油、洗净得到洗净后的金属 硅；
2)将铝熔体倒入洗净后的金属硅中，让洗净后的金属硅表面附着 一层铝熔体，冷却使铝熔体凝固；
3)将步骤2)的产物在惰性气氛中加热至600℃，保温2h，冷却 至室温；
4)将步骤3)的产物取出，用质量百分比浓度为5％的盐酸和质 量百分比浓度为1％的氢氟酸按体积比1∶1浸泡1个小时，用去离子水清 洗干净。
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