[发明专利]基于移动行业处理器接口MIPI协议接口装置

权利要求书

1.一种基于移动行业处理器接口MIPI协议的500Mbit/s物理层D-PHY接口装置，包括数据收发模块(100)和对收发数据进行处理的通道控制和接口逻辑模块(200)；其特征在于：

所述数据收发模块(100)包括与用于接收/发送数据的差分端口(D_P、D_N)电连接的高速接收子模块(110)、高速发送子模块(120)、低功耗接收子模块(130)和低功耗发送子模块(140)中的至少一个子模块；当所述数据收发模块(100)设置低功耗接收子模块(130)和低功耗发送子模块(140)中的任一个子模块时，所述数据收发模块(100)还包括低功耗竞争检测模块(150)；

所述高速接收子模块(110)用于将输入至所述接口装置的低功耗低摆幅的差分信号放大整形成输出电压摆幅接近或者等于电源电压的轨至轨rail to rail信号。

2.根据权利要求1所述的基于移动行业处理器接口MIPI协议的500Mbit/s物理层D-PHY接口装置，其特征在于：

所述高速接收子模块(110)包括数据通道(111)和时钟通道(112)，所述数据通道(111)包括接收输入至所述差分端口(D_P、D_N)的数据信号的信号放大子模块(310)、与该放大子模块电连接的信号整形子模块(320)和与所述信号整形子模块(320)电连接的延迟采样子模块(330)，所述延迟采样子模块(330)将被放大整形的数据输入信号输出至通道控制和接口逻辑模块(200)；

所述时钟通道(112)包括接收输入至所述差分端口(D_P、D_N)的时钟信号的信号放大子模块(310)和与该信号放大子模块(310)电连接的信号整形子模块(320)，所述信号整形子模块(320)将放大整形后的时钟信号分别输出至数据通道(111)的延迟采样子模块(330)和通道控制和接口逻辑模块(200)。

3.根据权利要求2所述的基于移动行业处理器接口MIPI协议的500Mbit/s物理层D-PHY接口装置，其特征在于：

所述信号放大子模块(310)包括级联的两个信号放大单元(311)和为该两信号放大单元(311)提供偏置电流的恒流单元(312)；所述级联的两信号放大单元(311)的输入端(V_IP1、V_IN1)电连接所述差分端口(D_P、D_N)，输出端(V_OP2、V_ON2)电连接信号整形子模块(320)的输入端(V_IP3、V_IN3)；

所述信号放大单元(311)包括两背靠背电连接的第一P沟道增强型绝缘栅型场效应管(M1、M2)，该两第一P沟道增强型绝缘栅型场效应管(M11、M12)各自的漏极(d)都与第二P沟道增强型绝缘栅型场效应管(M2)的源极(s)电连接，所述两第一P沟道增强型绝缘栅型场效应管(M11、M12)各自的衬底(B)、第二P沟道增强型绝缘栅型场效应管(M2)的衬底(B)和漏极(d)都电连接接口电源(V_DD)，所述两第一P沟道增强型绝缘栅型场效应管(M11、M12)各自的源极(s)通过相应的第一电阻(R0、R1)电连接接口公共地端(V_SS)；所述两第一P沟道增强型绝缘栅型场效应管(M11、M12)各自的栅极(g)分别是两信号放大单元(311)的差分输入端(V_IP1、V_IN1、V_IP2、V_IN2)，源极(s)分别是两信号放大单元(311)的差分输出端(V_OP1、V_ON1、V_OP2、V_ON2)；

所述恒流单元(312)包括串联在一起的第三电阻(Ra)、第四电阻(Rb)和第五电阻(Rc)，通过一个场效应管的源极(s)与另一个场效应管的漏极(d)电连接的方式依次串行电连接的第三P沟道增强型绝缘栅型场效应管(M3)、第一N沟道增强型绝缘栅型场效应管(M4)和第二N沟道增强型绝缘栅型场效应管(M5)，以及面对面电连接的两第三N沟道增强型绝缘栅型场效应管(M61、M62)；所述串联的三个电阻(Ra、Rb、Rc)依照从第三电阻(Ra)至第五电阻(Rc)的顺序电连接在接口电源(V_DD)与一所述第三N沟道增强型绝缘栅型场效应管(M61)的漏极(d)之间；所述第三P沟道增强型绝缘栅型场效应管(M3)的漏极(d)和衬底(B)电连接接口电源(V_DD)，所述第二N沟道增强型绝缘栅型场效应管(M5)的源极(s)电连接另一所述第三N沟道增强型绝缘栅型场效应管(M61)的漏极(d)；所述第一、第二N沟道增强型绝缘栅型场效应管(M4、M5)各自的衬底(B)、所述两第三N沟道增强型绝缘栅型场效应管(M61、M62)各自的源极(s)和衬底(B)都电连接接口公共地端(V_SS)；所述两第三N沟道增强型绝缘栅型场效应管(M61、M62)各自的栅极(g)都电连接所述第四电阻(Rb)与第五电阻(Rc)的串联节点；所述第二N沟道增强型绝缘栅型场效应管(M5)的栅极(g)电连接所述第三电阻(Ra)与第四电阻(Rb)的串联节点；所述第三P沟道增强型绝缘栅型场效应管(M3)的栅极(g)和第一N沟道增强型绝缘栅型场效应管(M4)的漏极(d)电连接为偏置电流输出端口，该端口分别与各信号放大单元(311)各自的第二P沟道增强型绝缘栅型场效应管(M2)的栅极(g)电连接。