[发明专利]发光元件及其制造方法、发光方法

权利要求书

1.一种发光元件，其特征在于，包括发光薄膜和金属层，所述发光薄膜由化学式为(Y_1-mGd_m)_3-xTb_x(Al_1-nGa_n)₅O₁₂的材料制成，其中，0≤m≤1，0≤n≤1，0＜x≤0.3；

所述金属层位于所述发光薄膜的表面上，所述金属层具有金属显微结构。

2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述金属显微结构为非周期性结构。

3.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述金属层由金、银、铝、铜、钛、铁、镍、钴、铬、铂、钯、镁、锌的其中一种或两种或两种以上的合金制成。

4.根据权利要求3所述的发光元件，其特征在于，所述金属层由金、银、铝、银铝合金或金铝合金制成。

5.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述金属层的厚度为0.5～200nm。

6.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述发光元件还包括透光基底，所述发光薄膜形成于透光基底表面。

7.根据权利要求6所述的发光元件，其特征在于，所述透光基底为石英基片、蓝宝石基片或氧化镁基片。

8.一种发光元件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

①制备发光薄膜，所述发光薄膜由化学式为(Y_1-mGd_m)_3-xTb_x(Al_1-nGa_n)₅O₁₂的材料制成，其中，0≤m≤1，0≤n≤1，0＜x≤0.3；

②在所述发光薄膜表面形成金属层；

③将所述发光薄膜及金属层进行退火处理；

④冷却，即得到发光元件。

9.根据权利要求8所述的发光元件的制造方法，其特征在于，所述步骤③中退火处理的条件为：在真空条件下退火，退火温度为50～650℃，退火时间为5～300min。

10.一种发光元件的发光方法，其特征在于，对权利要求1～7任一所述的发光元件的金属层发射阴极射线，在金属层与发光薄膜之间形成表面等离子体，使发光薄膜发光。