[发明专利]一种Mg2Si增强镁基复合材料的制备方法无效
申请号: | 201010045853.9 | 申请日: | 2010-01-19 |
公开(公告)号: | CN101748300A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 闫洪;陈小会;吴庆捷;胡志 | 申请(专利权)人: | 南昌大学 |
主分类号: | C22C1/02 | 分类号: | C22C1/02;C22C23/00 |
代理公司: | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人: | 施秀瑾 |
地址: | 330031 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 mg sub si 增强 复合材料 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于金属材料制备领域,特别涉及镁基复合材料的制备方法。
背景技术
颗粒增强镁基复合材料具有比强度、比刚度高、耐磨损、高的减振性等许多优点。 Mg2Si因其具有良好的热电性能同时又具有高熔点、高硬度、高的弹性模量和价格低 廉等特点,是理想的增强相,为广大学者所关注。原位反应法制备的颗粒增强镁基复 合材料中Mg和Si会自发进行化学反应,方程式为:2Mg(g)+Si(s)→2Mg2Si(s)。原 位反应生成的复合材料具有界面结合性好、无污染、热稳定性好、节约成本等特点, 因而逐渐受到重视。然而通过原位铸造工艺生成的Mg2Si增强相颗粒粗大,分布不均 匀,反应时间较长,阻碍了其进一步的发展。
发明内容
本发明的目的是提供一种用超声复合原位反应制备Mg2Si增强镁基复合材料的方 法。
本发明所述的制备方法为:首先将Si粉进行烘干处理并用铝箔包覆,把AM60 镁合金锭放入坩埚内加热至熔化,并在800℃~900℃范围内进行保温。将超声变幅杆 伸入镁合金熔体中,同时将质量分数为0.9-1.1%的预处理好的Si粉用铝箔纸包覆, 加入到熔体中,在超声功率为400W~900W的条件下,超声10~30分钟;将熔体温 度降至640℃~650℃,在此过程中继续超声2~8分钟,浇铸取样。
本发明得到的Mg2Si/AM60镁基复合材料组织中晶粒细小,Mg2Si增强颗粒尺寸 细小且分布均匀,而且工艺简单、安全可靠,操作方便,且无三废污染。
附图说明
图1为本发明制备的Mg2Si/AM60镁基复合材料显微组织。
图2为本发明制备的Mg2Si/AM60镁基复合材料中Mg2Si的分布情况。
具体实施方式
本发明将通过以下实施例作进一步说明。
实施实例1。
首先将Si粉进行烘干处理并用铝箔包覆,把AM60镁合金锭放入坩埚内加热至熔 化,并在800℃范围进行保温。将超声变幅杆伸入镁合金熔体中,同时将质量分数为 1.0%的预处理好的Si粉用铝箔纸包覆,加入到熔体中,在超声功率为400W的条件 下,超声30分钟;将熔体温度降至640℃,在此过程中继续超声8分钟,浇铸取样。
实施实例2。
首先将Si粉进行烘干处理并用铝箔包覆,把AM60镁合金锭放入坩埚内加热至熔 化,并在850℃范围内进行保温。将超声变幅杆伸入镁合金熔体中,同时将质量分数 为0.9%的预处理好的Si粉用铝箔纸包覆,加入到熔体中,在超声功率为650W的条 件下,超声20分钟;将熔体温度降至645℃,在此过程中继续超声5分钟,浇铸取样。
实施实例3。
首先将Si粉进行烘干处理并用铝箔包覆,把AM60镁合金锭放入坩埚内加热至熔 化,并在900℃范围内进行保温。将超声变幅杆伸入镁合金熔体中,同时将质量分数 为1.1%的预处理好的Si粉用铝箔纸包覆,加入到熔体中,在超声功率为900W的条 件下,超声10分钟;将熔体温度降至650℃,在此过程中继续超声2分钟,浇铸取样。
如图1所示,在实施实例2条件下获得的Mg2Si/AM60镁基复合材料组织中没有 明显的枝晶状出现,取而代之的是大量的蔷薇状、球状晶粒。超声空化泡的长大造成 的局部过冷现象,使得熔体中过早的出现一些晶粒,这些细小颗粒又在空化泡的崩溃 中破碎,通过这一系列的变化,复合材料的晶粒得到了明显的细化。
如图2所示,在高能超声下,反应生成了一系列的颗粒状及中国汉字状的新生物 质。从图中可以看到生成的点状物质主要分布在晶体内部,颗粒大小约为10μm,生 成的汉字状的新物质无特定位置。
从图中可以看出,采用本发明得到的Mg2Si/AM60镁基复合材料组织中晶粒细小, Mg2Si增强颗粒尺寸细小且分布均匀,而且工艺简单、安全可靠,操作方便,且无三 废污染。
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