[发明专利]三极管发射极侧墙的形成方法无效
| 申请号： | 201010100503.8 | 申请日： | 2010-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN102136424A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 孙尧;吕煜坤 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 三极管 发射极 形成 方法 | ||
1.一种三极管发射极侧墙的形成方法，所述三极管的结构包括硅基板以及三极管周围的浅槽隔离层，所述硅基板上设置有两端向上凸起，中间向下凹陷的基极多晶硅，所述基极多晶硅的凹陷底部设置有向上凸起的发射极多晶硅，在所述发射极多晶硅和基极多晶硅交界处还有发射极-基极阻挡层，其特征在于，在三极管形成之后，多次循环进行通过化学气相沉积形成覆盖晶体管器件表面的氧化膜的步骤和对氧化膜回刻、在发射极周边形成侧墙的步骤，利用次序在后的通过化学气相沉积形成覆盖晶体管器件表面的氧化膜的步骤填充之前步骤中产生的侧墙中的空洞。
2.根据权利要求1所述的三极管发射极侧墙的形成方法，其特征在于，在对氧化膜回刻、在发射极周边形成侧墙的步骤之后，通过湿法去除蚀刻过程中的生成物，之后再进行后续的通过化学气相沉积形成覆盖晶体管器件表面的氧化膜的步骤，从而使之后形成的氧化膜能很好地与前面的膜粘合在一起。
3.根据权利要求1所述的三极管发射极侧墙的形成方法，其特征在于，循环进行通过化学气相沉积形成覆盖晶体管器件表面的氧化膜的步骤和对氧化膜回刻、在发射极周边形成侧墙的步骤的次数为两次。
4.根据权利要求1所述的三极管发射极侧墙的形成方法，其特征在于，循环进行的通过化学气相沉积形成覆盖晶体管器件表面的氧化膜的步骤，每次沉积的厚度必须小于最终需要形成的侧墙宽度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
