[发明专利]用于补偿半导体存储装置的温度测量范围的电路

权利要求书

1.一种用于补偿半导体存储装置的温度测量范围的电路，包括：

计数使能信号发生单元，配置为输入具有与温度成比例的脉宽的温度脉冲，并响应于控制信号，输出所述温度脉冲作为计数使能信号；

计数器，配置为响应于所述计数使能信号，对振荡信号进行计数，并输出与所述振荡信号的计数结果相应的计数信号；

输出控制单元，配置为响应于所述计数信号和所述温度脉冲，产生所述控制信号，并配置为输出与所述计数信号成比例的温度信息码信号，或输出处于与所述计数信号的最大值相应的固定电平的温度信息码信号。

2.根据权利要求1所述的电路，其中，所述计数使能信号发生单元配置为当所述控制信号被使能时，输出与所述温度脉冲相应的计数使能信号，以及配置为当所述控制信号被禁止时，禁止输出所述计数使能信号。

3.根据权利要求1所述的电路，其中，所述输出控制单元包括：

控制信号发生器，配置为当接收到的计数信号达到最大值时，禁止输出所述控制信号，当接收到的计数信号低于最大值时，使能输出所述控制信号；以及

输出单元，配置为当所述控制信号被使能时，输出与所述计数信号成比例的温度信息码信号，以及配置为当所述控制信号被禁止时，输出处于固定电平的温度信息码信号。

4.根据权利要求3所述的电路，其中，所述控制信号发生器包括：

禁止脉冲发生单元，配置为当所述温度信息码信号处于最大值时，产生禁止脉冲；

使能脉冲发生单元，配置为响应于接收所述温度脉冲，产生使能脉冲；

脉冲组合单元，配置为当输入所述禁止脉冲时，禁止所述控制信号，而当输入所述使能脉冲时，使能所述控制信号。

5.根据权利要求4所述的电路，其中，所述禁止脉冲发生单元包括：

比较部分，配置为接收所述计数信号，以及当所述接收的计数信号等于预定值时，使能比较信号作为所述禁止脉冲；以及

脉冲发生部分，配置为延迟输出所述比较信号作为所述禁止脉冲。

6.根据权利要求4所述的电路，其中，所述使能脉冲发生单元包括第二延迟器、第四反相器和第五反相器以及第三NAND门。

7.根据权利要求4所述的电路，其中，所述脉冲组合单元包括：

输出节点电压控制部分，配置为当所述禁止脉冲被使能时，将外部电压施加到输出节点，当所述使能脉冲被使能时，施加所述外部电压以将所述输出节点施加到所述接地端；以及

锁存部分，配置为锁存所述输出节点的电压电平，并输出所述已锁存的电压电平，作为所述控制信号的电压电平。

8.根据权利要求1所述的电路，所述电路还包括：温度可变脉冲发生单元，耦合到所述计数使能信号发生单元和耦合到所述输出控制单元。

9.根据权利要求8所述的电路，其中，所述温度可变脉冲发生单元配置为产生具有依赖于温度变化的脉宽的温度脉冲。

10.根据权利要求8所述的电路，其中，所述温度可变脉冲发生单元配置为产生具有随温度升高而增大的脉宽的温度脉冲。

11.根据权利要求1所述的电路，还包括耦合到所述计数器的振荡器。

12.根据权利要求11所述的电路，其中，所述振荡器配置为产生具有基本上不受温度变化影响的预定频率的振荡信号。

13.根据权利要求3所述的电路，其中，所述输出电路单元的输出单元包括多个NAND门、多个反相器和多个复用器。

14.根据权利要求3所述的电路，其中，所述输出电路单元的输出单元包括多个输出子单元，每一个输出子单元配置为经相应的NAND门、两个反相器和复用器，输入所述控制信号和仅输入所述计数信号的单个相应比特，使得每个输出子单元仅输出所述温度信息码信号的单个比特。