[发明专利]一种获得相变存储器单元相变区半径的系统及方法有效

专利信息
申请号: 201010101396.0 申请日: 2010-01-26
公开(公告)号: CN101777389A 公开(公告)日: 2010-07-14
发明(设计)人: 蔡道林;宋志棠;陈后鹏;陈小刚 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: G11C29/00 分类号: G11C29/00;G11C16/02;G11C16/06
代理公司: 上海光华专利事务所 31219 代理人: 余明伟;冯珺
地址: 200050*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 获得 相变 存储器 单元 半径 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种获得相变存储器单元相变区半径的方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤一,根据相变存储器单元的结构建立电压、电流、温度、时间和相变存 储器单元相变区半径的关系模型;所述相变存储器单元从下至上依次由下电极, 加热电极,相变单元和上电极组成;所述相变单元分相变区和散热区;所述相变 区呈蘑菇状,且与所述加热电极相接;所述相变单元除相变区之外的区域均为散 热区;所述相变区的温度设定为均一的;所述散热区外边界的温度为室温T2,散 热区内表面的温度恒定为T1=T,散热区的温度梯度是恒定的;经过所述相变存 储器单元的电阻总的热量Q为:

Q=-ΣkT=2πk(T-T2)r1r2r2-r1+πk1r2(T-T2)d]]>

其中,k和k1分别为所述相变单元的热导和所述加热电极的热导;为所述 散热区的温度梯度,r,r1和r2分别为所述加热电极、相变区和散热区的半径;d 为所述加热电极的高度;

相变单元的温度T由电压或电流产生的焦耳热Wj和相变单元的热扩散Wd决 定:

T=t0t1Wj-WdC×Vdt]]>

其中,C和V分别为相变单元的热电容和相变区的体积,Wj=IR×VR, IR和VR分别为流经相变区的电流和电压;t表示时间,t0表示电压或电流加载的 初始时间,t1表示电压或电流加载的结束时间;25%到35%的热量是从加热电极 扩散掉的,所述电阻总的热量Q简化为:

Wd=Q=2πk(T-T2)r1r2r2-r1+0.3Wj]]>

对方程求导可以得到:

Tt=Wj-WdC×V]]>

所述关系模型为:

T=0.7Wj(r2-r1)2πkr1r2(1-exp(-3kr2(r2-r1)r12Ct))+T2;]]>

步骤二,对相变存储器单元进行Set操作,获取Set操作的电压-电流曲线;

步骤三,通过所述Set操作的电压-电流曲线获取所述关系模型的中间参 数,得出相变存储器单元相变区半径。

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