[发明专利]一种获得相变存储器单元相变区半径的系统及方法有效
申请号: | 201010101396.0 | 申请日: | 2010-01-26 |
公开(公告)号: | CN101777389A | 公开(公告)日: | 2010-07-14 |
发明(设计)人: | 蔡道林;宋志棠;陈后鹏;陈小刚 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | G11C29/00 | 分类号: | G11C29/00;G11C16/02;G11C16/06 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 余明伟;冯珺 |
地址: | 200050*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 获得 相变 存储器 单元 半径 系统 方法 | ||
1.一种获得相变存储器单元相变区半径的方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一,根据相变存储器单元的结构建立电压、电流、温度、时间和相变存 储器单元相变区半径的关系模型;所述相变存储器单元从下至上依次由下电极, 加热电极,相变单元和上电极组成;所述相变单元分相变区和散热区;所述相变 区呈蘑菇状,且与所述加热电极相接;所述相变单元除相变区之外的区域均为散 热区;所述相变区的温度设定为均一的;所述散热区外边界的温度为室温T2,散 热区内表面的温度恒定为T1=T,散热区的温度梯度是恒定的;经过所述相变存 储器单元的电阻总的热量Q为:
其中,k和k1分别为所述相变单元的热导和所述加热电极的热导;为所述 散热区的温度梯度,r,r1和r2分别为所述加热电极、相变区和散热区的半径;d 为所述加热电极的高度;
相变单元的温度T由电压或电流产生的焦耳热Wj和相变单元的热扩散Wd决 定:
其中,C和V分别为相变单元的热电容和相变区的体积,Wj=IR×VR, IR和VR分别为流经相变区的电流和电压;t表示时间,t0表示电压或电流加载的 初始时间,t1表示电压或电流加载的结束时间;25%到35%的热量是从加热电极 扩散掉的,所述电阻总的热量Q简化为:
对方程求导可以得到:
所述关系模型为:
步骤二,对相变存储器单元进行Set操作,获取Set操作的电压-电流曲线;
步骤三,通过所述Set操作的电压-电流曲线获取所述关系模型的中间参 数,得出相变存储器单元相变区半径。
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