[发明专利]8-羟基喹啉铝发光器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光器件及其制造方法，尤其涉及一种8-羟基喹啉铝发 光器件及其制造方法。

背景技术

由于具有驱动电压低、易于实现大屏幕显示、亮度高、视角广、发光颜 色连续可调等优点，有机/高分子平板显示器成为近年来信息显示技术领域一 大研究热点。1987年美国Kadak公司的C.W.Tang及其合作者报道了一种以 8-羟基喹啉铝(Alq₃)作为发光层，驱动电压＜10V，发光亮度达1000cd/m²， 使用寿命为100h的电致发光器件。然而，这种8-羟基喹啉铝发光器件的制备 工艺较复杂，制备成本较高。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种发 光强度高、发光效率高的8-羟基喹啉铝发光器件。

本发明进一步要解决的技术问题在于，提供一种工艺简单、低成本的8- 羟基喹啉铝发光器件的制造方法。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种8-羟基喹啉铝发光器 件，包括衬底，在衬底上设有8-羟基喹啉铝薄膜，在衬底与8-羟基喹啉铝薄 膜之间设有一层金属层。

所述的8-羟基喹啉铝发光器件中，所述金属层是在衬底表面溅射或蒸镀 一层金属。

所述的8-羟基喹啉铝发光器件中，所述金属层的厚度为1～500纳米。

所述的8-羟基喹啉铝发光器件中，所述衬底为玻璃基片、石英基片、蓝 宝石基片或氧化镁基片。

制造8-羟基喹啉铝发光器件的方法，是首先在衬底表面沉积一层金属层； 然后在金属层表面制备一层8-羟基喹啉铝薄膜，即得到8-羟基喹啉铝薄膜发 光器件。

所述的制造8-羟基喹啉铝发光器件的方法中，该方法还包括步骤如下： 真空条件下对金属层进行退火处理。

所述的制造8-羟基喹啉铝发光器件的方法中，所述退火处理是在50℃ ～500℃下热处理，退火时间为15分钟～3小时。

所述的制造8-羟基喹啉铝发光器件的方法中，所述金属层是通过将金属 溅射或蒸镀在衬底表面而形成的。

所述的制造8-羟基喹啉铝发光器件的方法中，所述金属层是由银、金、 铝、铂、钯、铜中的至少一种制成。

所述的制造8-羟基喹啉铝发光器件的方法中，所述8-羟基喹啉铝薄膜是 将8-羟基喹啉铝通过真空蒸镀或旋涂制成。

本发明的发光器件是在现有的具有衬底、8-羟基喹啉铝薄膜的基础上，在 衬底与8-羟基喹啉铝薄膜之间加设了金属层，使8-羟基喹啉铝的内量子效率 提高，增强了8-羟基喹啉铝发光薄膜的自发辐射，进而有效增强了8-羟基喹 啉铝的绿色发光性能。本发明发光器件的8-羟基喹啉铝薄膜(Alq3)以电子 导电为主，具有成膜质量好、载流子迁移率高、热稳定性好、荧光量子效率大 及发光颜色范围宽等特点。因此，本发明所得发光器件具有发光强度高、发 光效率高的优点。

金属层经退火处理后即得具有金属微纳结构的微纳金属层，微纳金属层 具有金属微纳结构，该金属微纳结构是金属非周期性的结构，即由无规则排 列的金属晶体构成，则微纳金属层与8-羟基喹啉铝层之间的界面形成表面等 离子体，表面等离子体会产生表面等离子体效应(此为现有技术，在此不再 赘述)，使8-羟基喹啉铝的内量子效率大大提高，即大大增强了8-羟基喹啉铝 发光薄膜的自发辐射。

微纳金属层的制备方法是先在衬底上制成一层金属层，该金属层在真空 条件下进行退火处理，通过高温退火处理，将原来规则排列的金属晶体变成 了不规则排列的金属晶体，即形成金属的微纳结构。可以大大提高8-羟基喹 啉铝的发光效率，然后在微纳金属层上形成一层8-羟基喹啉铝薄膜。本发明 的制造方法工艺简单、低成本，具有广阔的应用前景。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：

图1是本发明实施例1的8-羟基喹啉铝发光器件结构示意图；

图2是本发明实施例1制备的8-羟基喹啉铝发光器件与未加微纳金属层 的8-羟基喹啉铝发光器件的发光光谱图的对比图；

荧光发光光谱测试条件为：激发峰波长为380nm，光谱仪狭缝1.5nm、高 灵敏度。

具体实施方式

以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。