[发明专利]一种中子吸收球的制备方法

权利要求书

1.一种中子吸收球的制备方法，包括下述步骤：将炭素原料和  中子吸收材料混合得到的粉料加入到PVA与PEG的混合水溶液中进 行搅拌，混捏过程中加入硼酸，制成糊料；然后经过预压、挤出成型、 炭化、切割、磨加工、高温处理和表面包覆处理；

混捏过程中加入硼酸，加入量为粉料总重量的0.1％～2.0％，混捏 过程的温度为10～100℃，混捏时间为0.5～6小时；

所述粉料按质量百分比包括石墨35％～75％、碳化硼5％～35％， 和任选的，炭黑0～30％；

所述PVA与PEG的混合水溶液中，PVA和PEG的质量百分比 浓度为5％～20％，PVA和PEG质量比为(1～5)∶1。

2.根据权利要求1所述的中子吸收球，其特征在于，所述粉料 与PVA与PEG的混合水溶液的质量比为1∶(1～4)。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述预压的 压力为200～400MPa，保压1～10分钟；所述挤出成型采用的压力为 150～400Mpa，得到直径为5～15mm的棒料；其中所述预压的压力大 于成型压力。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述棒料在 氮气或惰性气体保护下炭化，以每分钟1～5℃升温到700～1600℃，保 温1～10小时。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述高温处 理过程中，以每分钟1～20℃的速度升到1600～2300℃，保温1～24小 时。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用CVI工 艺进行表面包覆处理，处理温度为800～1300℃。

7.采用权利要求1～6任一项所述方法制备得到的中子吸收球。