[发明专利]金属焊垫的制造方法以及相应的金属焊垫结构

权利要求书

1.一种金属焊垫结构，其特征是，包括：

半导体基底，其上具有一最上层金属层；

绝缘层，覆盖于所述最上层金属层之上；

第一窗口，贯穿所述绝缘层，且该第一窗口内沉积有焊垫金属；

钝化层，覆盖于所述绝缘层之上；

第二窗口，贯穿于所述钝化层，与第一窗口相连通，且该第二窗口内沉积有焊垫金属。

2.根据权利要求1所述的金属焊垫结构，其特征是，所述绝缘层的厚度大于或等于7KA。

3.根据权利要求1所述的金属焊垫结构，其特征是，所述焊垫金属为铝质金属。

4.根据权利要求1所述的金属焊垫结构，其特征是，所述焊垫金属为铝铜合金。

5.一种金属焊垫的制造方法，其特征是，包括：

提供一半导体基底，其上具有一最上层金属层；

在所述最上层金属层之上形成一绝缘层；

刻蚀所述绝缘层，在其上开设至少一第一窗口；

在所述第一窗口内沉积焊垫金属；

在所述绝缘层之上形成一钝化层；

刻蚀所述钝化层，在所述钝化层上对应于所述第一窗口的位置开设至少一第二窗口；

在所述第二窗口内沉积焊垫金属。

6.根据权利要求5所述的金属焊垫的制造方法，其特征是，所述绝缘层的厚度大于或等于7KA。

7.根据权利要求5所述的金属焊垫的制造方法，其特征是，所述焊垫金属为铝质金属。

8.根据权利要求5所述的金属焊垫的制造方法，其特征是，所述焊垫金属为铝铜合金。

9.根据权利要求5所述的金属焊垫的制造方法，其特征是，以上刻蚀所述绝缘层，在其上开设至少一第一窗口的过程包括：

在所述绝缘层上形成一光阻层；

利用一焊垫光罩在光阻层上定义第一窗口；

曝光显影，并刻蚀所述绝缘层，形成贯穿于绝缘层的第一窗口；

去除光阻层。

10.根据权利要求5所述的的金属焊垫的制造方法，其特征是，以上刻蚀所述绝缘层，在其上开设至少一第一窗口的过程包括：

在所述绝缘层上和第一窗口内沉积焊垫金属；

保留第一窗口内的焊垫金属，利用化学机械研磨去除其它焊垫金属。

11.根据权利要求5所述的的金属焊垫的制造方法，其特征是，以上刻蚀所述钝化层，在所述钝化层上对应于所述第一窗口的位置开设至少一第二窗口的过程包括：

在所述钝化层上形成一光阻层；

利用一焊垫光罩在光阻层上定义第二窗口，且该第二窗口的位置与所述第一窗口的位置相对应；

曝光显影，并刻蚀所述钝化层，形成贯穿于钝化层的第二窗口；

去除光阻层。