[发明专利]检测合金方块电阻的方法有效
| 申请号： | 201010102366.1 | 申请日： | 2010-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN102136439A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 唐兆云;陈勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N27/04 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 检测 合金 方块 电阻 方法 | ||
1.一种检测合金方块电阻的方法，所述方法包括下列步骤：
提供一基底；
在所述基底上形成一层氧化物层；
在所述氧化物层上形成含硅材料层；
在所述含硅材料层上形成第一合金层；
对上述形成的结构进行退火处理，使得所述第一合金层和与其接触的部分含硅材料层形成第二合金层；
检测所述第二合金层的方块电阻。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述退火之前的测量所述第一合金层的方块电阻。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化物层的厚度是30～100埃。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化物层的厚度是40～70埃。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化物层的厚度是50埃。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一合金层和第二合金层选自镍合金、钴合金、或Pd、Rh、Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Re以及它们的组合构成的一种或合金。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一合金层或第二合金层是NiPt、NiYb或NiSi。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含硅材料层是单晶硅、掺杂多晶硅或非掺杂多晶硅。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含硅材料层的厚度是1000～2000埃。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火温度为295～325摄氏度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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