[发明专利]透明电极发光二极管及其制作方法无效

专利信息
申请号: 201010102725.3 申请日: 2010-01-29
公开(公告)号: CN101789479A 公开(公告)日: 2010-07-28
发明(设计)人: 王书方;张建华 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: H01L33/42 分类号: H01L33/42;H01L33/38
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人: 何文欣
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 透明 电极 发光二极管 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种透明电极发光二极管,包括:蓝宝石衬底(1)、缓冲层(2)、本征层(3)、n型氮化镓(4)、量子阱(5)、p型氮化镓(6)、透明电极(7)、n型金属电极(8)、p型金属电极(9),其特征在于所述缓冲层(2)、本征层(3)、n型氮化镓(4)、量子阱(5)、p型氮化镓(6)是在MOCVD中依次生长完毕。

2.根据权利要求1所述透明电极发光二极管,其特征在于所述的透明电极(7)是氧化锌基透明导电薄膜,材质是ZnO:Ga或ZnO:Al或ZnO:In。

3.根据权利要求1所述透明电极发光二极管,其特征在于所述的n型金属电极(8)是金属复合电极,该复合电极是Ti/Al或Cr/Pt/Au复合电极。

4.根据权利要求1所述透明电极发光二极管,其特征在于所述的n型金属电极(8)是具有如下特定形状:四周方框形。

5.根据权利要求1所述透明电极发光二极管,其特征在于所述的p型金属电极(9)是金属复合电极,该复合电极是Ni/Au或Cr/Pt/Au复合电极。

6.根据权利要求1所述透明电极发光二极管,其特征在于所述的p型金属电极(9)是具有如下特定形状的:呈方框带对角线形状,打线点位于中央对角线交叉处。

7.一种制造根据权利1要求所述的透明电极发光二极管的制作方法,其特征在于工艺步骤如下:

a.用MOCVD的方法在衬底上依次缓冲层(2)、本征层(3)、n型氮化镓(4)、量子阱(5)、p型氮化镓(6);

b.对外延片进行镁激活退火处理;

c.使用化学试剂对外延片进行表面处理,其化学试剂是NaOH或者HF或者王水;

d.通过磁控溅射方法,沉积氧化锌透明导电薄膜(7);

e.用湿法腐蚀的方法刻蚀出所设计的氧化锌透明导电薄膜(7)图形;

f.通过ICP干法刻蚀将n型氮化镓暴露出来,制备出所需芯片结构;

g.对外延片进行退火处理,一方面降低氧化锌与氮化镓之间的接触电阻,一方面修复刻蚀损伤;

h.通过热蒸发或电子束蒸发的方法沉积n型金属电极(8)

i.通过热蒸发或电子束蒸发的方法沉积p型金属电极(9);

j.再次退火处理,进行金属电极的合金化;

k.分割外延片。

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