[发明专利]一种发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010103840.2 | 申请日： | 2010-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN101771117A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 孙润光;刘宏宇 | 申请（专利权）人： | 孙润光;刘宏宇 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京君伍时代知识产权代理事务所(普通合伙) 11346 | 代理人： | 朱登河 |
| 地址： | 201800 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体发光器件，包括发光二极管、反射层(200)和具有光致发光功能的晶体基板 (600)，发光二极管夹在反射层和晶体基板之间，其中发光二极管包括发光二极光的电子型导 电层(102)、发光二极管的空穴型导电层(104)和夹在电子型导电层和空穴型导电层之间的 无极发光二极管的发光层，在晶体基板和发光二极管之间有一个发光二极光的晶体生长过渡 层(101)，其中：所述晶体基板由具有光致发光功能的晶体、多晶体或非晶材料制成，所述 发光二极管发出的光射入所述晶体基板，其中一部分入射光激发晶体基板，由此晶体基板通 过光致发光作用发射出的光的色彩范围包括红色、绿色、蓝色和红色、绿色、蓝色之间的过 渡色，而另一部分入射光则透过晶体基板，与晶体基板通过光致发光作用产生的光混合成混 合色光。
2.如权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述混合色光是白光。
3.如权利要求1或2所述的半导体发光器件，其特征在于，上述晶体基板由包括掺铈钇铝石 榴石(YAG:Ce)、红宝石(AL2O3:Cr)、蓝宝石(AL2O3:Ti)、掺铈铝酸锂(Li(AL2O3):Ce) 中的一种或多种的单晶、多晶或者非晶体材料制成。
4.如据权利要求1-3任一项所述的半导体发光器件，其特征在于，上述发光二极管由不同组 分的氮铝铟镓半导体材料制成，所发射的光线的波长峰值范围是350～560nm。
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