[发明专利]一种可在BJT和MOSFET之间相互转变的器件有效
| 申请号： | 201010103868.6 | 申请日： | 2010-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN102142455A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 黄如;秦石强;唐粕人;张丽杰;蔡一茂 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 bjt mosfet 之间 相互 转变 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件，可在场效应晶体管和双极结型晶体管之间相互转变，包括场效应晶体管结构中的衬底、栅介质层、栅极、源区和漏区，其特征在于，源区的掺杂浓度比漏区高，栅介质层是由阻变材料构成的阻变介质层，当该阻变介质层为高阻态时该器件为场效应晶体管；当该阻变介质层由高阻态变为低阻态时，该器件转变为双极结型晶体管，场效应晶体管的栅极、源区和漏区对应地分别变为双极结型晶体管的基极、发射极和集电极。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述阻变材料是具有阻变特性的金属氧化物。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述金属氧化物选自氧化镍、氧化锌、和氧化钨中的一种。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述阻变介质层的厚度为10nm-100nm。
5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述阻变介质层的厚度为10nm-25nm。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述源区的掺杂浓度在1020cm-3数量级，而漏区的掺杂浓度在1015cm-3数量级。
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