[发明专利]投射电容式触控面板的扫描方法有效

专利信息
申请号: 201010103956.6 申请日: 2010-01-21
公开(公告)号: CN101840293A 公开(公告)日: 2010-09-22
发明(设计)人: 王万秋 申请(专利权)人: 宸鸿科技(厦门)有限公司
主分类号: G06F3/044 分类号: G06F3/044
代理公司: 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 代理人: 李宁
地址: 361006 福建省厦门*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 投射 电容 式触控 面板 扫描 方法
【权利要求书】:

1.一种投射电容式触控面板的扫描方法,主要由投射电容式触控面板和控制器完成,所述的投射电容式触控面板与控制器之间电性联接;所述的触控面板包括沿第一方向排布的至少一条第一电极和沿第二方向排布的至少一条第二电极,所述的第一电极或第二电极分别与第三方电位之间形成自电容,所述的第一电极和第二电极交叉处形成互电容,所述的第一电极与第二电极之间相互绝缘,其特征在于:通过以下步骤实施,

(a)设定所述的每条第一电极的自电容基准值和每条第二电极的自电容基准值,和设定所述的每个交叉处的互电容基准值;

(b)控制器对所有的电极的自电容进行扫描得到每条电极的自电容当前值,并与对应该条电极的自电容基准值进行比较,判断出自电容值发生变化的第一电极和第二电极,则所述的自电容值发生变化的第一电极和第二电极即被碰触到;

(c)控制器对(b)步中确定出的被触碰到的第一电极和第二电极每个交叉处的互电容进行扫描得到各个交叉处的互电容当前值,并与对应该交叉处的互电容基准值进行比较,判断出互电容值发生变化的交叉处,则所述的互电容值发生变化的交叉处所在的区域即为实际被触碰区域。

2.根据权利要求1所述投射电容式触控面板的扫描方法,其特征在于:所述(a)步中还包括设定每条第一电极和每条第二电极自电容变化基准值;则所述(b)步中判断出自电容当前值与对应该条电极的自电容基准值之差大于该条电极的自电容变化基准值的第一电极或第二电极。

3.根据权利要求2所述投射电容式触控面板的扫描方法,其特征在于,所述(b)步中每条电极的自电容当前值与对应该条电极的自电容基准值之差均未大于该条电极的自电容变化基准值,则重复(b)步。

4.根据权利要求1所述投射电容式触控面板的扫描方法,其特征在于:所述(a)步中还包括设定所述的每个交叉处的互电容变化基准值,则所述(c)步中判断出自电容当前值与对应该交叉的互电容基准值之差大于该交叉的互电容变化基准的交叉处。

5.根据权利要求1所述投射电容式触控面板的扫描方法,其特征在于:在(a)步与(b)步之间增加一步面板被触碰,至少一条第一电极和至少一条第二电极被碰到。

6.根据权利要求1所述投射电容式触控面板的扫描方法,其特征在于:在(c)步之后增加一步(d),计算(c)步中确定实际被触碰区域的重心。

7.根据权利要求1所述投射电容式触控面板的扫描方法,其特征在于:所述(a)步中设定每条第一电极的自电容基准值和每条第二电极的自电容基准值为控制器对每条第一电极和每条第二电极进行初始扫描多次以得到每条第一电极和每条第二电极的数个自电容初始值,各取均值作为对应该条第一电极和该条第二电极的自电容基准储存。

8.根据权利要求7所述投射电容式触控面板的扫描方法,其特征在于:所述的自电容初始扫描进行多次为控制器分别先对每条第一电极和每条第二电极进行充电再对与对应的第一电极和第二电极连接的参考电容进行放电,得到每条第一电极和每条第二电极的一个自电容初始值,依所述方式进行多次,得到每条第一电极和每条第二电极的数个自电容初始值,各取均值作为该条第一电极和该条第二电极的自电容基准值进行存储。

9.根据权利要求1所述投射电容式触控面板的扫描方法,其特征在于:所述的(a)步中设定每个交叉处的互电容基准值是指控制器对每个交叉处的互电容进行初始扫描多次以得到每个交叉处的数个互电容初始值,各取均值作为各交叉处的互电容基准值储存。

10.根据权利要求9所述投射电容式触控面板的扫描方法,其特征在于:所述的互电容初始扫描进行多次具体包括控制器分别对每条第二电极进行充电,控制器依次重复或并行重复收集第一电极上感应的电荷并转成电压,得到每个交叉处的一个互电容初始值,依所述的方式进行多次,得到每个交叉处的数个互电容初始值,各取均值作为各个交叉处的互电容基准值存储。

11.根据权利要求1所述投射电容式触控面板的扫描方法,其特征在于:所述(b)步中控制器对所有的电极的自电容进行扫描得到每条电极的自电容当前值为控制器分别先对每条第一电极和每条第二电极进行充电再对与对应的第一电极和第二电极连接的参考电容进行放电,得到每条第一电极和每条第二电极的一个自电容当前值。

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