[发明专利]将杂质离子掺杂至双栅极的方法和用其制造双栅极的方法无效

专利信息
申请号: 201010104006.5 申请日: 2010-01-27
公开(公告)号: CN101882603A 公开(公告)日: 2010-11-10
发明(设计)人: 卢俓奉;池连赫;金泰均;金宇成;李承美 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: H01L21/8238 分类号: H01L21/8238;H01L21/28
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 顾晋伟;王春伟
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 杂质 离子 掺杂 栅极 方法 制造
【权利要求书】:

1.一种将杂质离子掺杂至双栅极中的方法,包括:

将第一导电型杂质离子掺杂至半导体衬底的第一区域及第二区域上方的栅极导电层中,所述栅极导电层包括覆盖下部的上部,其中所述掺杂实施为具有浓度梯度以使所述栅极导电层的所述上部中的掺杂浓度高于所述下部中的掺杂浓度;

使用用于露出所述第二区域中的所述栅极导电层的掩模,将第二导电型杂质离子掺杂至所述半导体衬底的所述第二区域中的所述栅极导电层中;和

通过实施热处理来扩散所述第一导电型杂质离子和所述第二导电型杂质离子。

2.权利要求1所述的方法,其还包括:在掺杂所述第一导电型杂质离子后,在所述栅极导电层上形成未掺杂的多晶硅层。

3.权利要求1所述的方法,其包括:以最终掺杂浓度的100%的浓度来掺杂所述第一导电型杂质离子。

4.权利要求1所述的方法,其中所述栅极导电层的所述下部中的所述第一导电型杂质离子的掺杂浓度为最终掺杂浓度的20%至60%,并且所述栅极导电层的所述上部中的所述第一导电型杂质离子的掺杂浓度为最终掺杂浓度的140%至180%。

5.权利要求1所述的方法,其中所述栅极导电层的所述下部的厚度为所述栅极导电层的总厚度的60%至95%,并且所述栅极导电层的所述上部的厚度为所述栅极导电层的总厚度的5%至40%。

6.权利要求1所述的方法,其中所述第一区域是N型MOS晶体管区域且所述第二区域是P型MOS晶体管区域。

7.权利要求6所述的方法,其中所述第一导电型杂质离子为N型杂质离子且所述第二导电型杂质离子为P型杂质离子。

8.权利要求1所述的方法,其包括:通过沉积来形成所述栅极导电层,并且在沉积所述栅极导电层之后,通过供给所述第一导电型杂质离子的源气体来将所述第一导电型杂质离子掺杂至所述栅极导电层中。

9.权利要求8所述的方法,其包括:通过可变地控制所述第一导电型杂质离子的所述源气体的供给量来执行所述实施为具有浓度梯度的掺杂,在所述浓度梯度中所述栅极导电层的所述上部中的掺杂浓度高于所述下部中的掺杂浓度。

10.权利要求1所述的方法,其中所述栅极导电层的所述下部中的所述杂质离子的掺杂浓度为1×1020至5×1020原子/cm3,并且所述栅极导电层的所述上部中的所述杂质离子的掺杂浓度大于所述栅极导电层的所述下部中的所述杂质离子的掺杂浓度且为1×1020至1×1021原子/cm3

11.权利要求1所述的方法,其包括:使用等离子体掺杂方法来执行所述第二导电型杂质离子的掺杂。

12.权利要求1所述的方法,其包括:使用快速热过程来执行所述热处理。

13.权利要求11所述的方法,其包括:在氧气氛中执行所述热处理。

14.权利要求13所述的方法,其中所述氧气氛中的氧浓度低于3000ppm。

15.权利要求1所述的方法,其包括在氨(NH3)气氛中执行所述热处理。

16.权利要求15所述的方法,其中所述氨气氛中的氨浓度低于3000ppm。

17.一种将杂质离子掺杂至双栅极的方法,其包括:

将第一导电型杂质离子掺杂至半导体衬底的第一区域和第二区域上方的栅极导电层的至少三个部分中,所述至少三个部分在所述栅极导电层的垂直方向上分成,其中所述掺杂实施为具有浓度梯度以使所述栅极导电层的最上部中的掺杂浓度高于所述栅极导电层的最下部中的掺杂浓度;

使用用于露出所述第二区域中的所述栅极导电层的掩模,将第二导电型杂质离子掺杂至所述半导体衬底的所述第二区域中的所述栅极导电层中;和

通过实施热处理来扩散所述第一导电型杂质离子和所述第二导电型杂质离子。

18.权利要求17所述的方法,还包括:在掺杂所述第一导电型杂质离子之后,在所述栅极导电层上形成未掺杂的多晶硅层。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司,未经海力士半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010104006.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top