[发明专利]提高侧墙角均匀度的方法有效
申请号: | 201010104013.5 | 申请日: | 2010-01-27 |
公开(公告)号: | CN102136419A | 公开(公告)日: | 2011-07-27 |
发明(设计)人: | 赵林林;张海洋 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01L21/336 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 牛峥;王丽琴 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 提高 墙角 均匀 方法 | ||
1.一种提高侧墙角均匀度的方法,应用于栅极刻蚀流程中的抗反射涂层打开Barc open工序,其特征在于,该方法包括:
根据实验统计值生成栅极薄膜的厚度与Barc open工序中使用的刻蚀环境参数的对应关系,在对晶圆进行Barc open前,测量晶圆上栅极薄膜的厚度;
根据测量得到的栅极薄膜的厚度、以及所述栅极薄膜的厚度与Barc open工序中使用的刻蚀环境参数的对应关系,设定Barc open工序中使用的刻蚀环境参数的取值,并采用设定值的刻蚀环境参数进行Barc open工序。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据实验统计值生成栅极薄膜的厚度与Barc open工序中使用的刻蚀环境参数的对应关系的方法包括:
通过实验得到对于各种栅极薄膜厚度,经过Barc open工序能够得到理想侧墙角形状的刻蚀环境参数的经验值;
利用所述栅极薄膜厚度及其对应的刻蚀环境参数的经验值,拟合得到表示所述栅极薄膜厚度与Barc open工序中使用的该刻蚀环境参数对应关系的曲线。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述刻蚀环境参数包括:
刻蚀气体的浓度、刻蚀气体的气压、流量以及偏置电压中一个或多个参数的组合。
4.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,当所述刻蚀环境参数为偏置电压时,所述栅极薄膜的厚度与Barc open工序中使用的刻蚀环境参数的对应关系为二维坐标平面内一条斜率小于0的直线,其斜率和截距由制程工艺决定。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造