[发明专利]选择性蚀刻和二氟化氙的形成

权利要求书

1.用于相对于第二材料选择性蚀刻第一材料的工艺，包括：

在腔室中提供含有第一材料和第二材料的结构；

向所述腔室提供包含氙(Xe)、惰性气体和含氟化学品的蚀刻剂气体；

将所述结构与所述蚀刻剂气体接触并将所述第一材料选择性地转化为挥发性物种；和

从所述腔室除去所述挥发性物种；

其中，所述第一材料选自硅、钼、钨、钛、锆、铪、钒、钽、铌、硼、磷、锗、砷和它们的混合物；且所述第二材料选自二氧化硅、氮化硅、镍、铝、TiNi合金、光致抗蚀剂、磷硅酸盐玻璃、硼磷硅酸盐玻璃、聚酰亚胺、金、铜、铂、铬、氧化铝、碳化硅和它们的混合物。

2.权利要求1的工艺，其中，所述含氟化学品选自F₂、NF₃、C₂F₆、CF₄、C₃F₈、SF₆、从上游等离子体发生器产生的含F原子的等离子体和它们的混合物。

3.权利要求1的工艺，其中，所述含氟化学品是从上游等离子体发生器产生的含F原子的等离子体。

4.权利要求1的工艺，其中所述惰性气体选自Xe、Ar、He和它们的混合物。

5.权利要求1的工艺，其中，所述腔室含有远程等离子体发生器。

6.权利要求1的工艺，其中，所述腔室中的温度为环境温度至500℃。

7.权利要求1的工艺，其中，所述腔室中的压力为0.1至10托。

8.权利要求1的工艺，其中Xe相对于含氟化学品的摩尔比为1∶10至10∶1。

9.权利要求1的工艺，其中，所述结构是半导体器件或半导体加工腔室。

10.权利要求1的工艺，其中，所述结构是微电动机械器件。

11.权利要求1的工艺，其中，所述结构是离子注入系统中的离子注入机工具。

12.在腔室中形成二氟化氙的工艺，包含：

向所述腔室提供Xe气体；

向所述腔室提供选自NF₃、C₂F₆、CF₄、C₃F₈、SF₆、从上游等离子体发生器产生的含F原子的等离子体和它们的混合物的含氟化学品；和通过在所述腔室中使氙与所述含氟化学品反应而形成二氟化氙。

13.权利要求12的工艺，其中，所述含氟化学品是从上游等离子体发生器产生的含F原子的等离子体。

14.权利要求12的工艺，其中Xe相对于含氟化学品的摩尔比为1∶10至10∶1。

15.权利要求12的工艺，其中，所述腔室含有等离子体发生器。

16.权利要求15的工艺，其中，所述等离子体发生器是远程等离子体发生器。

17.权利要求12的工艺，其中，所述腔室中的温度为环境温度至500℃。

18.权利要求12的工艺，其中，所述腔室中的压力为0.1至10托。

19.用于相对于二氧化硅、氮化硅或二氧化硅与氮化硅选择性蚀刻硅、钼或硅与钼的工艺，包含：

在腔室中提供含有硅、钼或硅与钼，以及二氧化硅、氮化硅或二氧化硅与氮化硅的结构；

向所述腔室提供包含氙(Xe)、惰性气体和含氟化学品的蚀刻剂气体；

将所述结构与所述蚀刻剂气体接触并将所述硅、钼或硅与钼选择性地转化为挥发性物种；和

从所述腔室除去所述挥发性物种。

20.权利要求19的工艺，其中，所述含氟化学品选自F₂、NF₃、C₂F₆、CF₄、C₃F₈、SF₆、从上游等离子发生器产生的含F原子的等离子体和它们的混合物。