[发明专利]一种晶圆表面平坦化方法有效
| 申请号： | 201010104533.6 | 申请日： | 2010-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN102142368A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 陈建国;席华萍 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/3105;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 表面 平坦 方法 | ||
1.一种晶圆表面平坦化方法，其特征在于，包括：
在有台阶的晶圆表面淀积第一层二氧化硅层；
在所述二氧化硅层上面旋涂一层旋涂玻璃SOG层，所述SOG层在非台阶处的上表面高于所述晶圆表面的台阶；
对旋涂SOG层后的晶圆进行高温烘烤；
采用选定的刻蚀速率选择比对晶圆表面的SOG层和二氧化硅层进行刻蚀，获取满足设计需求的晶圆表面平整度，在刻蚀后的SOG层上边淀积第二层二氧化硅层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用选定的刻蚀速率选择比对晶圆表面的SOG层和二氧化硅层进行刻蚀，具体包括：
根据所述晶圆表面的台阶高度，选择刻蚀SOG和二氧化硅层的刻蚀速率选择比；
通过干法刻蚀的方式，按照所述刻蚀速率选择比对晶圆表面的SOG层和二氧化硅层进行刻蚀，以获取满足设计需求的晶圆表面平整度。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，采用四氟化碳、三氟甲烷和氩气的混合气体对旋涂SOG层后的晶圆进行干法刻蚀。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，通过调整所述混合气体中四氟化碳、三氟甲烷和氩气的配比，得到所选择的刻蚀速率选择比；
所述混合气体中四氟化碳、三氟甲烷和氩气的体积配比为(40～60)∶(90～120)∶300。
5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述干法刻蚀的功率为600～800瓦，压力为600～800毫克，刻蚀时间为100～120秒。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，淀积的二氧化硅层的厚度为2000A～3000A。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述SOG层进行刻蚀后，所述晶圆表面台阶处的二氧化硅层的厚度为500A～1000A。
8.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述烘烤的温度为400～500℃，烘烤的时间为30～60分钟。
9.如权利要求1-8任一所述的方法，其特征在于，所述刻蚀速率选择比的范围是0.7～2。
10.如权利要求1-8任一所述的方法，其特征在于，所述刻蚀速率选择比为1。
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