[发明专利]一种用于PET衰减校正的68Ge线源的制备工艺有效

专利信息
申请号: 201010104697.9 申请日: 2010-02-03
公开(公告)号: CN101777399A 公开(公告)日: 2010-07-14
发明(设计)人: 尹卫;李忠勇;陈大明;白红升;高惠波;韩连革;崔洪起;张文辉;金小海 申请(专利权)人: 中国原子能科学研究院
主分类号: G21G4/08 分类号: G21G4/08
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地址: 102413*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 pet 衰减 校正 sup 68 ge 制备 工艺
【权利要求书】:

1.一种用于PET衰减校正的68Ge线源的制备工艺,该工艺包括以下步骤:

(1)将陶瓷微球置于硝酸和氯化锗[68Ge]的混合溶液中,振荡反应,待68Ge吸 附于陶瓷微球上,取出清洗,然后晾干;(2)将干燥好的吸附有68Ge的陶瓷微 球均匀装填于一端密封的不锈钢管中,将另一端用玻璃毛密封,然后将不锈钢管 套于不锈钢套管中,最后将不锈钢套管与带有磁性的钨钢底座连接;其特征在于, 所述的步骤(1)中混合溶液中硝酸的浓度为12~15mol/L,Ge离子的浓度≤ 5mg/ml,吸附时间为10~20min。

2.根据权利要求1所述的一种用于PET衰减校正的68Ge线源的制备工艺, 其特征在于,所述步骤(1)中取出清洗为从混合溶液中取出后依次用浓硝酸、 稀硝酸、水、丙酮进行清洗。

3.根据权利要求1所述的一种用于PET衰减校正的68Ge线源的制备工艺, 其特征在于,所述的不锈钢管内径为3~6mm,长度为150~300mm。

4.根据权利要求3所述的一种用于PET衰减校正的68Ge线源的制备工艺, 其特征在于,陶瓷微球的粒径为100~200目。

5.根据权利要求1所述的一种用于PET衰减校正的68Ge线源的制备工艺, 其特征在于,所述的吸附时间为15min。

6.根据权利要求3所述的一种用于PET衰减校正的68Ge线源的制备工艺, 其特征在于,所述的不锈钢管内径为4mm,长度为280mm。

7.根据权利要求1所述的一种用于PET衰减校正的68Ge线源的制备工艺, 其特征在于,所述的不锈钢套管与钨钢底座采用螺纹连接且焊接固定。

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