[发明专利]一种集成电路衬底噪声的分布式抵消方法及电路无效

专利信息
申请号: 201010104730.8 申请日: 2010-01-29
公开(公告)号: CN101794727A 公开(公告)日: 2010-08-04
发明(设计)人: 梁国;刘晓鹏;郭清 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H01L21/74 分类号: H01L21/74;H01L21/82;H01L23/58
代理公司: 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人: 胡红娟
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 集成电路 衬底 噪声 分布式 抵消 方法 电路
【权利要求书】:

1.一种集成电路衬底噪声的分布式抵消方法,所述的集成电路包括 集成在同一硅衬底上的数字电路和模拟电路,且所述的模拟电路周围布置 有保护环,其特征在于,对所述的噪声进行分布式抵消的步骤如下:

a)采集数字电路产生的噪声信号;

采集数字电路产生的噪声信号的步骤由噪声探测带来完成,上述噪声 探测带位于靠近数字电路耦合衬底噪声源的一侧,用于充分采集硅衬底上 数字电路产生的噪声信号;

b)将噪声信号输入反相运算放大器进行反相放大,得到噪声抵消信 号;

c)将噪声抵消信号并行的注入到硅衬底上靠近模拟电路的至少三个 噪声注入点,与噪声信号反相叠加,抵消传递到保护环内的噪声信号;

所述的噪声注入点位于噪声信号探测带与模拟电路的保护环之间。

2.如权利要求1所述的分布式抵消方法,其特征在于,所述的噪声 注入点通过重掺杂形成。

3.一种集成电路衬底噪声的分布式抵消电路,其特征在于,包括

设置在硅衬底上的噪声探测带,位于靠近数字电路耦合衬底噪声源的 一侧,用于充分的采集硅衬底上的数字电路产生的噪声信号;

设置在硅衬底上的至少三个噪声注入点:

所述的噪声注入点,位于噪声探测带与模拟电路的保护环之间;

所述的噪声注入点通过金属并接在一起;

反相运算放大器,其输入端与噪声探测带连接,反相运算放大器的输 出端与所述的噪声注入点连接;

所述的集成电路包括集成在同一硅衬底上的数字电路和模拟电路,且 所述的模拟电路周围布置有保护环。

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