[发明专利]一种集成电路衬底噪声的分布式抵消方法及电路无效
申请号: | 201010104730.8 | 申请日: | 2010-01-29 |
公开(公告)号: | CN101794727A | 公开(公告)日: | 2010-08-04 |
发明(设计)人: | 梁国;刘晓鹏;郭清 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L21/74 | 分类号: | H01L21/74;H01L21/82;H01L23/58 |
代理公司: | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人: | 胡红娟 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 集成电路 衬底 噪声 分布式 抵消 方法 电路 | ||
1.一种集成电路衬底噪声的分布式抵消方法,所述的集成电路包括 集成在同一硅衬底上的数字电路和模拟电路,且所述的模拟电路周围布置 有保护环,其特征在于,对所述的噪声进行分布式抵消的步骤如下:
a)采集数字电路产生的噪声信号;
采集数字电路产生的噪声信号的步骤由噪声探测带来完成,上述噪声 探测带位于靠近数字电路耦合衬底噪声源的一侧,用于充分采集硅衬底上 数字电路产生的噪声信号;
b)将噪声信号输入反相运算放大器进行反相放大,得到噪声抵消信 号;
c)将噪声抵消信号并行的注入到硅衬底上靠近模拟电路的至少三个 噪声注入点,与噪声信号反相叠加,抵消传递到保护环内的噪声信号;
所述的噪声注入点位于噪声信号探测带与模拟电路的保护环之间。
2.如权利要求1所述的分布式抵消方法,其特征在于,所述的噪声 注入点通过重掺杂形成。
3.一种集成电路衬底噪声的分布式抵消电路,其特征在于,包括
设置在硅衬底上的噪声探测带,位于靠近数字电路耦合衬底噪声源的 一侧,用于充分的采集硅衬底上的数字电路产生的噪声信号;
设置在硅衬底上的至少三个噪声注入点:
所述的噪声注入点,位于噪声探测带与模拟电路的保护环之间;
所述的噪声注入点通过金属并接在一起;
反相运算放大器,其输入端与噪声探测带连接,反相运算放大器的输 出端与所述的噪声注入点连接;
所述的集成电路包括集成在同一硅衬底上的数字电路和模拟电路,且 所述的模拟电路周围布置有保护环。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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