[发明专利]一种包覆式扩展电极发光二极管的制作方法

权利要求书

1.一种包覆式扩展电极发光二极管的制作方法，其步骤如下：

1)提供一暂时基板，在暂时基板上依次外延生长缓冲层、截止层、n型砷化 镓欧姆接触层、n型铝镓铟磷限制层、有源层、p型铝镓铟磷限制层和p 型导电窗口层构成外延发光层；

2)在外延发光层上制作一反射镜；

3)提供一永久基板，在永久基板背面制作p电极，将完成前述步骤的暂时 基板与永久基板通过一接合层形成键合，接合面为反射镜和永久基板上 表面，并去除暂时基板、缓冲层和截止层；

4)在外延层上制作包覆式扩展电极：

采用湿法蚀刻图案化n型砷化镓欧姆接触层，暴露出其下的n型铝 镓铟磷限制层；

粗化暴露在上表面的部分n型铝镓铟磷限制层；

在n型砷化镓欧姆接触层上制作扩展电极，并且使得扩展电极完全 覆盖n型砷化镓欧姆接触层、并由上向下沿n型砷化镓欧姆接触层和n 型铝镓铟磷限制层侧壁延伸至n型铝镓铟磷限制层上表面粗化的局部区 域；扩展电极在氮气氛围下熔合，形成良好的欧姆接触，并增强扩展电 极的粘附性；

5)在n型铝镓铟磷限制层上制作焊盘，并且焊盘与扩展电极保持电学连接。

2.如权利要求1一种包覆式扩展电极发光二极管的制作方法，其中图案化n型 砷化镓欧姆接触层的蚀刻液选自H₃PO₄、NH₄OH、H₂O₂或前述的任意组合之一。

3.如权利要求1一种包覆式扩展电极发光二极管的制作方法，其中粗化n型铝 镓铟磷限制层的溶液选自HCl、HBr、HI、Br₂、I₂或前述的任意组合之一。

4.如权利要求1一种包覆式扩展电极发光二极管的制作方法，其中扩展电极材 料选自由Au、AuGe、Ni和Ti所组成的物质组中的一种。

5.如权利要求1一种包覆式扩展电极发光二极管的制作方法，其中永久基板材 料选自于Si、SiC、Cu和Al所组成的物质组中的一种。

6.如权利要求1一种包覆式扩展电极发光二极管的制作方法，其中接合层材料 选自In、Sn、AuSn和AuGe所组成的物质组中的一种。