[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法

权利要求书

1.一种有机发光二极管显示器，包括

基板主体；

有机发光二极管，所述有机发光二极管形成在所述基板主体上；

湿气吸收层，所述湿气吸收层形成在所述基板主体上并覆盖所述有机发光二极管；

第一阻挡层，所述第一阻挡层形成在所述基板主体上并覆盖所述湿气吸收层；

第一辅助阻挡层，所述第一辅助阻挡层形成在所述湿气吸收层和所述第一阻挡层之间；

第二阻挡层，所述第二阻挡层形成在所述基板主体上并覆盖所述第一阻挡层；和

第二辅助阻挡层，所述第二辅助阻挡层形成在所述第一阻挡层和所述第二阻挡层之间。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述湿气吸收层由包括选自由一氧化硅、一氧化钙、一氧化钡和它们的组合构成的组中的一种的材料形成。

3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中所述湿气吸收层通过热蒸发工艺形成。

4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中所述热蒸发工艺通过使用真空蒸发法进行。

5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述第一阻挡层和所述第二阻挡层各自由包括选自由Al₂O₃、TiO₂、ZrO、SiO₂、AlON、AlN、SiON、Si₃N₄、ZnO、Ta₂O₅和它们的组合构成的组中的一种的材料形成。

6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中所述第一阻挡层和所述第二阻挡层各自通过原子层沉积法形成。

7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中所述第一阻挡层和所述第二阻挡层由彼此不同的材料形成。

8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其中所述第一辅助阻挡层通过所述第一阻挡层和所述湿气吸收层之间的反应在所述第一阻挡层和所述湿气吸收层之间的界面形成，且包括所述第一阻挡层的至少部分组分和所述湿气吸收层的至少部分组分。

9.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其中所述第二辅助阻挡层通过所述第二阻挡层和所述第一阻挡层之间的反应在所述第二阻挡层和所述第一阻挡层之间的界面形成，且包括所述第二阻挡层的至少部分组分和所述第一阻挡层的至少部分组分。

10.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述湿气吸收层、所述第一辅助阻挡层、所述第一阻挡层、所述第二辅助阻挡层和所述第二阻挡层形成保护所述有机发光二极管的薄膜封装层，且所述薄膜封装层的整体厚度在1nm～1000nm的范围内。

11.一种有机发光二极管显示器的制造方法，包括：

在基板主体上形成有机发光二极管；

通过热蒸发工艺形成覆盖所述有机发光二极管的湿气吸收层；

通过原子层沉积法形成覆盖所述湿气吸收层的第一阻挡层；

通过所述第一阻挡层和所述湿气吸收层之间的反应在所述第一阻挡层和所述湿气吸收层之间的界面形成第一辅助阻挡层；

通过原子层沉积法形成覆盖所述第一阻挡层的第二阻挡层；和

通过所述第二阻挡层和所述第一阻挡层之间的反应在所述第二阻挡层和所述第一阻挡层之间的界面形成第二辅助阻挡层。

12.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示器的制造方法，其中所述湿气吸收层由包括选自由一氧化硅、一氧化钙、一氧化钡和它们的组合构成的组中的一种的材料形成。

13.根据权利要求12所述的有机发光二极管显示器的制造方法，其中所述热蒸发工艺包括真空蒸发法。

14.根据权利要求13所述的有机发光二极管显示器的制造方法，其中所述湿气吸收层通过沉积由二氧化硅和硅气体的反应形成的一氧化硅而形成。