[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法

说明书

技术领域

本发明的方案涉及有机发光二极管显示器和制造有机发光二极管显示器的方法。

背景技术

有机发光二极管(OLED)显示器具有自发射特性并且与液晶显示器(LCD)的不同在于有机发光二极管显示器不需要分立的光源，并且具有减小的厚度和重量。此外，有机发光二极管显示器比LCD消耗较低的功率，具有较高的亮度，并且具有较短的响应时间，因此作为用于便携式电子设备的下一代显示装置，有机发光二极管显示器已经成为亮点。

有机发光二极管显示器包括有机发光二极管和用于驱动有机发光二极管的薄膜晶体管。有机发光二极管包括空穴注入电极、有机发射层和电子注入电极，而薄膜晶体管包括半导体层、栅极电极、源极电极和漏极电极。

在这种有机发光二极管显示器的制备过程中，执行多个薄膜工艺(使用掩膜)来形成相应的电极、导线和其它层。因此，随着有机发光二极管显示器的结构变得越来越复杂，薄膜工艺的数目增加，导致处理中的失效增加，产量降低，并且制作成本增加。

背景部分中公开的上述信息仅用于加强对本发明背景的理解，因此可能包括并没有构成现有技术的信息。

发明内容

本发明的各方面提供一种具有简化结构的可以由简化的制造方法来制作的有机发光二极管显示器。

本发明的示例性实施例提供一种有机发光二极管显示器，包括：基板；形成在所述基板上的半导体层，该半导体层具有沟道区、源极区和漏极区；覆盖所述半导体层的栅极绝缘层；和形成在所述沟道区上的栅极电极。层间绝缘层覆盖所述栅极电极。源极电极和漏极电极形成在所述层间绝缘层上，所述源极电极连接至所述源极区并且所述漏极电极连接至所述漏极区。像素电极从所述漏极电极延伸，并且被布置在与所述源极电极和漏极电极相同的平面上。所述源极电极和漏极电极各具有包括透明导电材料的第一导电层和形成在所述第一导电层上的包括金属材料的第二导电层。所述像素电极由所述第一导电层的另一部分形成。

根据本发明的各方面，所述第一导电层可以包含从氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟(In₂O₃)中选择的至少一种材料。

根据本发明的各方面，所述第一导电层可以被结晶。

根据本发明的各方面，所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层可以各具有暴露所述半导体层的源极区和漏极区的接触孔，并且所述源极电极可以通过所述接触孔连接至所述半导体层的源极区，所述漏极电极可以通过所述接触孔连接至所述半导体层的漏极区。

根据本发明的各方面，像素限定层可以覆盖所述源极电极和漏极电极。所述像素限定层具有暴露所述像素电极的开口。

根据本发明的各方面，可以在所述像素电极上所述像素限定层的开口内形成有机发射层，并在在所述有机发射层和所述像素限定层上形成公共电极。

根据本发明的各方面，所述有机发射层可以在所述像素电极的方向上发光。

根据本发明的各方面，所述公共电极可以包括反射层，所述反射层由从锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)和金(Au)中选择的至少一种材料形成。

本发明的另一示例性实施例提供一种制造有机发光二极管显示器的方法，包括：在基板上形成无定形硅层；形成覆盖所述无定形硅层的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成栅极电极；以及对所述无定形硅层进行结晶并进行选择性掺杂，从而形成具有沟道区、源极区和漏极区的半导体层。该方法进一步包括：形成覆盖所述栅极电极的层间绝缘层；在所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层中形成接触孔，所述接触孔暴露所述半导体层的源极区和漏极区；在所述层间绝缘层上形成第一导电层，使得所述第一导电层通过所述接触孔与所述半导体层的源极区和漏极区相接触；在所述第一导电层上形成第二导电层；通过光刻法图案化所述第一导电层和所述第二导电层，从而形成各具有双层结构的源极电极和漏极电极；以及图案化所述第一导电层以形成具有单层结构的像素电极。

根据本发明的各方面，所述光刻法工艺可以使用通过半色调曝光(half-tone)工艺形成的光刻胶图案进行。

根据本发明的各方面，所述光刻胶图案可以具有：布置在所述源极电极和漏极电极的形成区域上的第一部分；布置在所述像素电极的形成区域上的较薄的第二部分；以及作为开口区域的第三部分。