[发明专利]一种用于多晶硅熔炼炉的真空连续加料系统无效
| 申请号： | 201010105399.1 | 申请日： | 2010-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN102140685A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 吕佩文;黄丰;董建平;黄顺乐;陈伦泰;林钟潮;柯永灿 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06;C30B35/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 多晶 熔炼炉 真空 连续 加料 系统 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于多晶硅熔炼炉的真空连续加料系统，包括密封顶盖、加料室、加料管。其特征在于：密封顶盖设有通气管、密封阀门；加料管上设有加料阀门，与密封顶盖和加料室共同构成密封系统。
2.如权利要求1所述的用于多晶硅熔炼炉的真空连续加料系统，其特征在于：加料室的体积根据多晶硅熔炼炉定做，一般为熔炼炉容量的10％-30％为宜。
3.如权利要求1所述的用于多晶硅熔炼炉的真空连续加料系统，其特征在于：加料管伸入熔炼炉炉体中，需要耐受高温，加料管的材料由二氧化硅、氧化铝、石墨或其他耐高温材料制成。
4.如权利要求1所述的用于多晶硅熔炼炉的真空连续加料系统，其特征在于：加料阀门为铜或聚四氟乙烯制成。
5.如权利要求1所述的用于多晶硅熔炼炉的真空连续加料系统，其特征在于：密封顶盖安装有玻璃窗口。
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