[发明专利]膜沉积方法和半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 201010105598.2 | 申请日： | 2010-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN101800176A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 赤尾裕隆;贝野由利子;龟井隆广;原昌辉;栗原研一 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/336;C23C20/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 封新琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沉积 方法 半导体器件 制造 | ||
1.一种膜沉积方法，其包括以下步骤：
将含有聚硅烷化合物的溶液涂覆于基板上，形成涂层膜，然后在惰性 气氛下进行第一热处理，由此使所述涂层膜形成为硅膜；
在所述硅膜上形成含有聚硅烷化合物的涂层膜，然后在惰性气氛或者 还原气氛下进行第二热处理，由此使所述含有聚硅烷化合物的涂层膜形成 为氧化硅前体膜；和
在氧化气氛下进行第三热处理，由此使所述氧化硅前体膜形成为氧化 硅膜，并且同时使所述硅膜致密化。
2.根据权利要求1的膜沉积方法，其中
所述聚硅烷化合物是由SinRm表示的聚硅烷化合物，其中n表示3以上 的自然数；m是(2n-2)以上并且不超过(2n+2)的数；R表示有机链状基团， 有机环状基团，氢原子，卤素原子或者金属原子；和
所述含有聚硅烷化合物的溶液是使所述聚硅烷化合物溶于溶剂而成的 溶液。
3.根据权利要求1的膜沉积方法，其中
第二热处理在200℃以上并且不高于280℃的温度在惰性气氛中进行。
4.根据权利要求2的膜沉积方法，其中
第二热处理在200℃以上并且不高于280℃的温度在惰性气氛中进行。
5.根据权利要求1或2的膜沉积方法，其中
第二热处理在240℃以上并且不高于280℃的温度在还原气氛中进行。
6.根据权利要求1至4中任一项的膜沉积方法，其中
第二热处理在惰性气氛中进行；和
第三热处理的最高温度高于第二热处理的最高温度。
7.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：
将含有聚硅烷化合物的溶液涂覆于基板上，形成涂层膜，然后在惰性 气氛下进行第一热处理，由此使所述涂层膜形成为硅膜；
在所述硅膜上形成含有聚硅烷化合物的涂层膜，然后在惰性气氛或者 还原气氛下进行第二热处理，由此使所述含有聚硅烷化合物的涂层膜形成 为氧化硅前体膜；
在氧化气氛下进行第三热处理，由此使所述氧化硅前体膜形成为氧化 硅膜，并且同时使所述硅膜致密化；
在所述氧化硅膜上形成栅电极；和
在所述栅电极的两侧上的硅膜中形成源/漏极区域。
8.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：
在基板上形成硅膜，并且使用所述硅膜作为活性层形成薄膜晶体管； 和
在所述基板上形成含氢的氧化硅膜，由此覆盖所述薄膜晶体管，其中
所述形成硅膜的步骤包括：将含有聚硅烷化合物的溶液涂覆于所述基 板上，形成涂层膜，然后在惰性气氛下进行第一热处理，由此使所述涂层 膜形成为硅膜；和
所述形成含氢的氧化硅膜的步骤包括以下步骤：
形成含有聚硅烷化合物的涂层膜，从而在所述基板上覆盖所述薄膜晶 体管，然后在还原气氛下进行第二热处理，由此使所述含有聚硅烷化合物 的涂层膜形成为氧化硅前体膜；和
在氧化气氛下进行第三热处理，由此使所述氧化硅前体膜形成为含氢 的氧化硅膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
