[发明专利]一种用于超高频段的温度补偿倍压二极管检波器

权利要求书

1.一种用于低频至超高频段的温度补偿倍压二极管检波器，其特征是：

采用超高频硅晶体三极管，将C、B极短接，利用其EB结构成超高频二极管；

将上述结构的4个三极管的4个CB结均单独短接而构成4个由EB结组成的二极管，并两两串接，组成双差分对管的双EB结倍压检波器。

2.根据权利要求1所述之用于低频至超高频段的倍压二极管检波器，其特征是：将上述超高频硅晶体三极管封装于同一管壳内，设置在同一硅基片上，其4管的电流放大系数β的不对称性必须在5％以内。

3.根据权利要求1或2所述之用于低频至超高频段的倍压二极管检波器，其特征是：检波负载电阻的阻值为2～4K。

4.根据权利要求3所述之用于低频至超高频段的倍压二极管检波器，其特征是：所说EB结二极管的偏置电阻，在+5V供电时，取3～4K。

5.根据权利要求4所述之用于低频至超高频段的倍压二极管检波器，其特征是：在检波输出端设有运算放大器构成的带有温补偏置的单位增益同相放大器，其偏置电压来自双差分对管中作为温补偏置的串联二极管对，其偏置电压1.4～1.5V，并具有与检波输出残余偏置同样的温度系数ΔV_be。

6.根据权利要求3所述之用于低频至超高频段的倍压二极管检波器，其特征是：在检波输出端设有运算放大器构成的带有温补偏置的单位增益同相放大器，其偏置电压来自双差分对管中作为温补偏置的串联二极管对，其偏置电压1.4～1.5V，并具有与检波输出残余偏置同样的温度系数ΔV_be。

7.根据权利要求1或2所述之用于低频至超高频段的倍压二极管检波器，其特征是：在检波输出端设有运算放大器构成的带有温补偏置的单位增益同相放大器，其偏置电压来自双差分对管中作为温补偏置的串联二极管对，其偏置电压1.4～1.5V，并具有与检波输出残余偏置同样的温度系数ΔV_be。