[发明专利]太阳能光电元件

权利要求书

1.一种光电元件，包括

一基板；

一III-V族化合物所形成的第一半导体结构位于该基板之上，包括一光电转换层；

一电极位于该第一半导体结构上，包括一汇流排电极以及一指状电极；以及

一第一中间层位于汇流排电极之下方，其中该第一中间层包括至少一III族元素以及一V族元素，并与该第一半导体结构之间形成一高电阻值界面。

2.根据权利要求1所述的光电元件，其中该第一中间层位于该第一半导体结构之间。

3.根据权利要求1所述的光电元件，其中该第一中间层包括一第一金属氧化物层及一第一III-V族半导体层，该第一金属氧化物层位于该汇流排电极之下方，该第一III-V族半导体层位于该指状电极下方。

4.根据权利要求3所述的光电元件，其中，该第一金属氧化物包括氧化铝、氧化镓、氧化砷或氧化锑。

5.根据权利要求3所述的光电元件，其中，该III-V族半导体层的材料包括Ale1Gaf1In(1-e1-f1)P、Ale2In(1-e2)As、Ale3As(1-e3)Sb、或Alz1Ga(1-z1)As，其中0 e1 1，0 e2 1，0 e3 1，0 f1 1，0 z11。

6.根据权利要求1所述的光电元件，还包括一第二半导体结构，该第二半导体结构包括一第二光电转换层。

7.根据权利要求6所述的光电元件，还包括一第二中间层介于该第二半导体结构及该第一半导体结构之间。

8.根据权利要求7所述的光电元件，其中该第二中间层包括包括一第二金属氧化物层及一第二III-V族半导体层，该第二金属氧化物层位于该汇流排电极之下方，该第二III-V族半导体层位于该指状电极下方；该第二金属氧化物层与该第一半导体结构及该第二半导体结构之间分别形成一高电阻值界面。

9.根据权利要求8所述的光电元件，其中，该第二金属氧化物包括氧化铝、氧化镓、氧化砷或氧化锑。

10.根据权利要求8所述的光电元件，其中，该第二III-V族半导体层的材料包括Ale1Gaf1In(1-e1-f1)P、Ale2In(1-e2)As、Ale3As(1-e3)Sb、或Alz1Ga(1-z1)As，其中0 e1 1，0 e2 1，0 e3 1，0 f1 1，0 z11。

11.根据权利要求1所述的光电元件，其中该第一半导体结构还包括一第一导电型半导体层及一第二导电型半导体层位于该光电转换层两侧。

12.根据权利要求11所述的光电元件，其中该第一中间层为一第一导电型III-V族半导体层，与该第二导电型半导体层电性相异，且位于该第二导电型半导体层及该汇流排电极之间。

13.根据权利要求12所述的光电元件，还包括一第二半导体结构，该第二半导体结构包括一第二光电转换层，以及一第二中间层介于该第二半导体结构及该第一半导体结构之间。

14.根据权利要求13所述的光电元件，其中该第二中间层包括一第二金属氧化物层及一第二III-V族半导体层，该第二金属氧化物层位于汇流排电极之下方，该第二III-V族半导体层位于该指状电极下方；该第二金属氧化物层与该第一半导体结构及该第二半导体结构之间分别形成一高电阻值界面。

15.根据权利要求14所述的光电元件，其中，该第二金属氧化物包括氧化铝、氧化镓、氧化砷或氧化锑。

16.一种光电元件的制造方法，包括

形成一第一叠层，包括：

提供一基板；

形成一III-V族化合物所形成的第一半导体结构位于该基板之上，其中该第一半导体结构包括一光电转换层；

形成一III-V族半导体层在该第一半导体结构之上；

形成一覆盖层于该III-V族半导体层之上；以及

形成一电极在该覆盖层之上，该电极包括一汇流排电极以及一指状电极；以及

将该第一叠层置于一氧化环境，部分氧化该III-V族半导体层，形成一第一氧化部，其中该第一氧化部位于汇流排电极之下方。