[发明专利]修整光致抗蚀剂图案的方法

权利要求书

1.一种修整光致抗蚀剂图案的方法，包含：

提供一待蚀刻材料层覆有一图案化光致抗蚀剂层；

进行一削除光致抗蚀剂制作工艺，以氮气修整该图案化光致抗蚀剂层的边缘；以及

以该修整后的图案化光致抗蚀剂层为掩模，蚀刻该待蚀刻材料层。

2.如权利要求1所述的修整光致抗蚀剂图案的方法，其中该削除光致抗蚀剂制作工艺在一等离子体反应室进行。

3.如权利要求2所述的修整光致抗蚀剂图案的方法，其中在进行该削除光致抗蚀剂制作工艺时，该等离子体反应室的压力为1至100毫托耳。

4.如权利要求2所述的修整光致抗蚀剂图案的方法，其中该待蚀刻材料层位于一晶片的一正面。

5.如权利要求4所述的修整光致抗蚀剂图案的方法，其中该氮气在该晶片的该正面的中心上方的流量和该晶片的该正面的边缘上方的流量比为30∶70。

6.如权利要求2所述的修整光致抗蚀剂图案的方法，其中该等离子体反应室的激化高频功率为50至1000瓦，偏压用高频为20至500瓦。

7.如权利要求2所述的修整光致抗蚀剂图案的方法，其中进行该削除光致抗蚀剂制作工艺时，一晶背气体流向该晶片的一背面，该晶背气体在该

晶片中心处的压力和在该晶片边圆处的压力比为30∶40。

8.如权利要求1所述的修整光致抗蚀剂图案的方法，其中该削除光致抗蚀剂制作工艺的操作时间介于5至12秒。

9.如权利要求1所述的修整光致抗蚀剂图案的方法，其中该氮气对该图案化光致抗蚀剂的修整速率小于30埃/秒。

10.如权利要求1所述的修整光致抗蚀剂图案的方法，其中该图案化光致抗蚀剂层的具有一光致抗蚀剂突出，并且该削除光致抗蚀剂制作工艺包含修整该光致抗蚀剂突出。

11.一种修整光致抗蚀剂图案的方法，包含：

提供一待蚀刻材料层覆有一图案化光致抗蚀剂层；

进行一削除光致抗蚀剂制作工艺，利用一气体以30埃/秒以下的蚀刻速率修整该图案化光致抗蚀剂层的边缘；以及

以该修整后的图案化光致抗蚀剂层为掩模，蚀刻该待蚀刻材料层。

12.如权利要求11所述的修整光致抗蚀剂图案的方法，其中该气体包含氮气。

13.如权利要求11所述的修整光致抗蚀剂图案的方法，其中该气体包含甲烷。

14.如权利要求11所述的修整光致抗蚀剂图案的方法，其中该削除光致抗蚀剂制作工艺的操作时间介于5至12秒。

15.如权利要求11所述的修整光致抗蚀剂图案的方法，其中该削除光致抗蚀剂制作工艺在一等离子体反应室进行。

16.如权利要求15所述的修整光致抗蚀剂图案的方法，其中在进行该削除光致抗蚀剂制作工艺时，该等离子体反应室的压力为1至100毫托耳。

17.如权利要求15所述的修整光致抗蚀剂图案的方法，其中该等离子体反应室的激化高频功率为50至1000瓦，偏压用高频为20至500瓦。

18.如权利要求15所述的修整光致抗蚀剂图案的方法，其中该待蚀刻材料层位于一晶片的一正面。

19.如权利要求18所述的修整光致抗蚀剂图案的方法，其中该气体在该晶片的该正面的中心上方的流量和该晶片的该正面的边圆上方的流量比为30∶70。

20.如权利要求15所述的修整光致抗蚀剂图案的方法，其中进行该削除光致抗蚀剂制作工艺时，一晶背气体流向该晶片的一背面，该晶背气体在该晶片中心处的压力和在该晶片边缘处的压力比为30∶40。