[发明专利]与处理变化无关的VDD独立振荡器

权利要求书

1.一种振荡器，包括：

正电源节点，用于提供正电源电压；

恒定电流源，提供第一恒定电流并耦合至所述正电源节点，其中，所述第一恒定电流与所述正电源节点无关；

电容器；

充电电流源，被配置为提供第二恒定电流以给所述电容器充电，其中，所述第二恒定电流是所述第一恒定电流的镜像；以及

恒定电流源反相器，具有作为所述第一恒定电流的镜像的第三恒定电流，其中，所述恒定电流源反相器被配置为将所述振荡器控制为处于恒定状态转变电压的转变状态。

2.根据权利要求1所述的振荡器，其中，所述恒定电流源反相器包括：

第一NMOS晶体管，被配置为当所述第一NMOS晶体管的栅极电压达到所述恒定状态转变电压时，改变状态，其中，所述第三恒定电流流过所述第一NMOS晶体管的源极-漏极路径；以及

其中，所述振荡器还包括：第二NMOS晶体管，具有连接至所述第一NMOS晶体管的栅极的漏极，其中，所述第二NMOS晶体管被配置为对处于“接通”状态的电容器进行放电，

其中，所述恒定电流源反相器包括：PMOS晶体管，具有流过所述PMOS晶体管的源极-漏极路径的所述第三恒定电流。

3.根据权利要求2所述的振荡器，其中，所述电容器耦合在所述正电源电压和所述第一NMOS晶体管的所述栅极之间。

4.根据权利要求2所述的振荡器，其中，所述电容器耦合在地和所述第一NMOS晶体管的所述栅极之间。

5.根据权利要求1所述的振荡器，其中，所述恒定电流源、所述充电电流节点以及所述恒定电流源中的每一个均包括具有相互连接的栅极的MOS晶体管。

6.根据权利要求1所述的振荡器，其中，所述电容器包括MOS电容器，所述MOS电容器包括互连以用作第一电容器极板的源极和漏极以及用作第二电容器极板的栅极。

7.根据权利要求1所述的振荡器，其中，所述恒定电流源包括：

第一PMOS晶体管，包括第一源极和连接至第一漏极的第一栅极；

第二PMOS晶体管，包括连接至所述第一栅极的第二栅极和第二漏极；

第一NMOS晶体管，包括第三栅极以及连接至所述第二漏极和所述第三栅极的第三漏极；以及

第二NMOS晶体管，包括连接至所述第三栅极的第四栅极和连接至所述第一漏极的第四漏极。

8.一种振荡器，包括：

正电源节点；

恒定电流源，耦合至所述正电源节点，其中，所述恒定电流源被配置为提供与所述正电源节点的变化无关的第一恒定电流；

电容器充电节点；

电容器，耦合至所述电容器充电节点；

充电电流源，被配置为提供第二恒定电流，以对所述电容器进行充电，其中，所述第二恒定电流与所述正电源节点的变化无关；以及

恒定电流源反相器，包括：

第一PMOS晶体管；和

第一NMOS晶体管，其中，所述振荡器被配置为提供流过所述第一PMOS晶体管的源极-漏极路径并且与所述正电源节点的变化无关的第三恒定电流，并且其中，所述第一NMOS电容器包括连接至所述电容器充电节点的栅极。

9.根据权利要求8所述的振荡器，其中，所述恒定电流源包括具有承载所述第一恒定电流的第一源极-漏极路径的第二PMOS晶体管，所述充电电流源包括具有承载所述第二恒定电流的第二源极-漏极路径的第三PMOS晶体管，并且其中，所述第一PMOS晶体管、所述第二PMOS晶体管以及所述第三PMOS晶体管的栅极互连。

10.根据权利要求8所述的振荡器，还包括：放电晶体管，具有耦合在所述电容器充电节点和地之间的源极-漏极路径。

其中，所述振荡器还包括控制电路，所述控制电路包括：

两个串联的反相器；以及

在所述两个反相器之一的输出处的所述振荡器的输出，其中，所述放电晶体管的栅极连接至所述两个反相器中的另外一个反相器的输出。

11.根据权利要求8所述的振荡器，其中，所述电容器包括：MOS电容器，包括互连以用作第一电容器极板的源极和漏极以及用作第二电容器极板的栅极。